[發明專利]X射線探測單元、探測器及探測系統有效
| 申請號： | 201811345584.0 | 申請日： | 2018-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN109524428B | 公開（公告）日： | 2020-09-25 |
| 發明（設計）人： | 金利波 | 申請（專利權）人： | 上海奕瑞光電子科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 201201 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 射線 探測 單元 探測器 系統 | ||
1.一種X射線探測單元，其特征在于，所述X射線探測單元至少包括：
轉換材料層、光電二極管像素及反射層；
其中，所述轉換材料層、所述光電二極管像素及所述反射層首尾相接，形成閉合區域，且所述轉換材料層的面積大于所述光電二極管像素的面積。
2.根據權利要求1所述的X射線探測單元，其特征在于：所述轉換材料層的材質為碘化銫或硫氧化釓。
3.根據權利要求1所述的X射線探測單元，其特征在于：所述光電二極管像素與所述轉換材料層的夾角設定為(0，90°]。
4.根據權利要求1所述的X射線探測單元，其特征在于：所述反射層為平面或所述反射層朝向所述X射線探測單元內部的表面為弧面。
5.根據權利要求1所述的X射線探測單元，其特征在于：所述轉換材料層的面積不小于所述光電二極管像素的面積的1.5倍。
6.根據權利要求1～5任意一項所述的X射線探測單元，其特征在于：所述反射層朝向于所述X射線探測單元內部的表面為鏡面。
7.根據權利要求1～5任意一項所述的X射線探測單元，其特征在于：所述反射層的材質為碘化銫或硫氧化釓。
8.一種X射線探測器，其特征在于，所述X射線探測器至少包括：
一維線陣排布的若干如權利要求1～7任意一項所述的X射線探測單元。
9.一種X射線探測系統，其特征在于，所述X射線探測系統至少包括：
如權利要求8所述的X射線探測器，射線源及傳送裝置；
其中，所述X射線探測器與所述射線源相對設置，所述傳送裝置設置于所述X射線探測器及所述射線源之間；通過所述傳送裝置的移動，所述X射線探測器對被檢測物進行多次一維檢測，進而獲得所述檢測物的二維檢測圖像。
10.根據權利要求9所述的X射線探測系統，其特征在于：所述X射線探測器為L形排布或弧形排布。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
