[發明專利]一種應用于晶格失配多結太陽能電池的新型DBR結構在審
| 申請號： | 201811344102.X | 申請日： | 2018-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN109301006A | 公開（公告）日： | 2019-02-01 |
| 發明（設計）人： | 高熙隆;劉建慶;劉雪珍;宋欣慰;劉恒昌 | 申請（專利權）人： | 中山德華芯片技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0304 | 分類號： | H01L31/0304;H01L31/054 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人： | 馮炳輝 |
| 地址： | 528437 廣東省中山*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶格失配 周期結構 子電池 多結太陽能電池 折射率 電池 晶格漸變緩沖層 光電轉換效率 抗輻照性能 短路電流 合金材料 基區材料 技術指標 開路電壓 填充因子 應變補償 失配度 外延層 滑移 失配 位錯 應用 釋放 引入 | ||
1.一種應用于晶格失配多結太陽能電池的新型DBR結構，其特征在于：所述DBR結構為疊置于晶格失配多結太陽能電池的晶格漸變緩沖層之上的GaInNAs/AlGaInAs周期結構，由GaInNAs、AlGaInAs兩種合金材料組成，晶格失配多結太陽能電池的GaInAs子電池疊置于該GaInNAs/AlGaInAs周期結構之上，其中，所述GaInNAs/AlGaInAs周期結構的GaInNAs折射率較AlGaInAs折射率高，且GaInNAs與AlGaInAs之間及GaInNAs與GaInAs子電池的基區材料GaInAs之間存在晶格失配，失配度不超過3％，這種應變補償結構有助于應力的釋放和位錯滑移。
2.根據權利要求1所述的一種應用于晶格失配多結太陽能電池的新型DBR結構，其特征在于：所述GaInNAs/AlGaInAs周期結構的GaInNAs和AlGaInAs厚度設計遵循公式：式中，d為厚度，λ為預計反射波段的中心反射波長，n為對應材料的折射率。
3.根據權利要求1所述的一種應用于晶格失配多結太陽能電池的新型DBR結構，其特征在于：所述GaInNAs/AlGaInAs周期結構的反射波長范圍為λ～1200nm，λ由電池結數決定，周期在5～25對范圍內。
4.根據權利要求1所述的一種應用于晶格失配多結太陽能電池的新型DBR結構，其特征在于：所述GaInNAs/AlGaInAs周期結構的GaInNAs和AlGaInAs兩種材料的晶格常數不嚴格匹配，失配度在0.01％～3％范圍內。
5.根據權利要求1所述的一種應用于晶格失配多結太陽能電池的新型DBR結構，其特征在于：所述GaInNAs/AlGaInAs周期結構的X-ray衍射搖擺曲線應與GaInAs子電池的基區搖擺曲線重合。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
