[發(fā)明專利]一種二維薄層CdS/g-C3N4復合光催化劑的制備方法及用途在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811342607.2 | 申請日: | 2018-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN109395758A | 公開(公告)日: | 2019-03-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李鑫;吳東遙;周亞舉;劉重陽;李金擇;馬長暢;霍鵬偉;閆永勝 | 申請(專利權)人: | 江蘇大學 |
| 主分類號: | B01J27/24 | 分類號: | B01J27/24;C02F1/30;C02F1/72;C02F101/34;C02F101/36;C02F101/38 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 212013 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 二維薄層 復合光催化劑 制備 納米片 煅燒 前驅體 連續(xù)離子層吸附反應 超聲處理 二次煅燒 固體樣品 水浴加熱 硝酸溶液 研磨 馬弗爐 酸處理 中高溫 超聲 尿素 洗滌 冷卻 | ||
本發(fā)明提供了一種二維薄層CdS/g?C3N4復合光催化劑的制備方法及用途,制備步驟如下:1、將尿素置于馬弗爐中高溫煅燒,得到二維薄層g?C3N4前驅體;2、將二維薄層g?C3N4前驅體加入到硝酸溶液當中,水浴加熱條件下攪拌處理,將所得固體樣品洗滌至中性、真空干燥后,進行煅燒,待冷卻至室溫后,研磨,得到二維薄層g?C3N4納米片;3、將二維薄層g?C3N4納米片在含有Cd2+的溶液中超聲處理,離心,將所得固體加入到含有S2?的溶液中繼續(xù)超聲,得到二維薄層CdS/g?C3N4復合光催化劑。本發(fā)明通過簡單便捷的煅燒、酸處理以及二次煅燒的手法制備出二維薄層g?C3N4納米片,并通過簡單的連續(xù)離子層吸附反應法制備出高效的二維薄層CdS/g?C3N4復合光催化劑。
技術領域
本發(fā)明屬于環(huán)境保護材料的制備技術領域,特指一種二維薄層CdS/g-C3N4復合光催化劑的制備方法及用途。
背景技術
經(jīng)濟社會的快速發(fā)展,一方面給人民帶來了物質(zhì)生活的便利,另一方面也帶來了嚴重的環(huán)境問題。其中水污染愈發(fā)嚴重,直接影響著人類及地球上所有生物的生存問題。世界各國的政府和科研工作者們對水體污染治理的探索從未停止過,并開發(fā)出多種較為有效的水體污染治理方法,諸如活性炭吸附法、生物膜法、活性污泥法等方法。然而傳統(tǒng)的水污染治理方法仍具有成本高、效率低、易產(chǎn)生二次污染等共性問題,大大的制約了相關方法在污水處理領域的實際應用。因此,人們亟待開發(fā)一種高效、清潔、無二次污染的綠色污水處理新方法。
自1972年Fujishima等人報道了TiO2在光照條件下產(chǎn)氫的研究后,便為人類提供了一條有效處理水污染的新方法。由于g-C3N4擁有合適的帶隙寬度(2.7eV)、易于制得、化學穩(wěn)定性較好等優(yōu)點早已引起了光催化領域的科研工作者們濃厚的研究興致。眾多不同種類的g-C3N4催化劑中,二維薄層g-C3N4納米片具有大比表面積、強吸附性能以及特殊的光電性質(zhì)等優(yōu)點,已經(jīng)成為g-C3N4材料的主要研究對象,純相的g-C3N4材料光生電子空穴對的復合效率較高等問題。選擇合適的光敏材料構建異質(zhì)結構光催化劑是提高部光生載流子分離效率的有效方法。
在已報道的可見光響應光催化劑中,晶體硫化鎘(Cds)由于其合適的帶隙能2.42eV和重要的光學性質(zhì),已成為光敏劑和光電化學電池中研究最廣泛的納米晶半導體之一。CdS因其獨特的性能,被廣泛應用于光電轉換、發(fā)光二極管、種生物標記、等領域。與此同時,該物質(zhì)在光催化領域仍有不俗的表現(xiàn)。
基于以上的分析與考慮,我們選擇了尿素作為前驅物,以煅燒法制備出體相g-C3N4,再經(jīng)酸處理及二次煅燒,得到二維薄層g-C3N4納米片,以Cd、S離子溶液為原料,經(jīng)連續(xù)離子層吸附反應法成功的制備出具有分布較為均勻的二維薄層CdS/g-C3N4復合光催化材料。
發(fā)明內(nèi)容
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