[發明專利]一種二維薄層CdS/g-C3N4復合光催化劑的制備方法及用途

在審

• 申請號: 201811342607.2
• 申請日: 2018-11-12
• 公開（公告）號: CN109395758A
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發明（設計）人: 李鑫;吳東遙;周亞舉;劉重陽;李金擇;馬長暢;霍鵬偉;閆永勝
• 申請（專利權）人: 江蘇大學
• 主分類號: B01J27/24
• 分類號: B01J27/24;C02F1/30;C02F1/72;C02F101/34;C02F101/36;C02F101/38
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1.一種二維薄層CdS/g-C₃N₄復合光催化劑的制備方法，其特征在于，步驟如下：

步驟1、制備二維薄層g-C₃N₄前驅體：將尿素置于馬弗爐中高溫煅燒，得到二維薄層g-C₃N₄前驅體；

步驟2、制備二維薄層g-C₃N₄納米片：將步驟1得到的二維薄層g-C₃N₄前驅體加入到硝酸溶液當中，水浴加熱條件下攪拌處理，將所得固體樣品洗滌至中性、真空干燥后，進行煅燒，待冷卻至室溫后，研磨，得到二維薄層g-C₃N₄納米片；

步驟3、制備二維薄層CdS/g-C₃N₄復合光催化劑：將步驟2得到的二維薄層g-C₃N₄納米片在含有Cd²⁺的溶液中超聲處理，離心，將所得固體加入到含有S^2-的溶液中繼續超聲，得到二維薄層CdS/g-C₃N₄復合光催化劑。

2.根據權利要求1所述的一種二維薄層CdS/g-C₃N₄復合光催化劑的制備方法，其特征在于，步驟1中，馬弗爐煅燒的溫度為室溫～550℃，升溫速率為5℃/min。

3.根據權利要求1所述的一種二維薄層CdS/g-C₃N₄復合光催化劑的制備方法，其特征在于，步驟2中，所使用的硝酸的pH＝1，所述煅燒的溫度為室溫～500℃，升溫速率為5℃/min。

4.根據權利要求1所述的一種二維薄層CdS/g-C₃N₄復合光催化劑的制備方法，其特征在于，步驟3中，所使用的二維薄層g-C₃N₄納米片與含有Cd²⁺的溶液、含有S^2-的溶液的用量比均為2mg：1mL。

5.根據權利要求1所述的一種二維薄層CdS/g-C₃N₄復合光催化劑的制備方法，其特征在于，步驟3中，所使用的含有Cd²⁺的溶液為Cd(NO₃)₂水溶液，濃度為0.1M，所使用的含有S^2-的溶液為Na₂S水溶液，濃度為0.1M。

6.根據權利要求1所述的一種二維薄層CdS/g-C₃N₄復合光催化劑的制備方法，其特征在于，步驟3中，所述的超聲時間均為10min。

7.權利要求1～6任意一項所述的二維薄層CdS/g-C₃N₄復合光催化劑的制備方法制備得到的二維薄層CdS/g-C₃N₄復合光催化劑，其特征在于，所述二維薄層CdS/g-C₃N₄復合光催化劑中，所述g-C₃N₄為二維薄層的納米片結構，CdS納米顆粒附著在二維薄層g-C₃N₄納米片表面，CdS納米顆粒尺寸為20～40nm。

8.權利要求7所述的二維薄層CdS/g-C₃N₄復合光催化劑用于降解水體污染物中的羅丹明B有機分子的用途。