[發明專利]一種半導體封裝器件在審
| 申請號: | 201811341984.4 | 申請日: | 2018-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN111180474A | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發明(設計)人: | 俞國慶 | 申請(專利權)人: | 通富微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李慶波 |
| 地址: | 226000 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 封裝 器件 | ||
本申請公開了一種半導體封裝器件,所述封裝器件包括:芯片,所述芯片包括正面和背面,所述芯片的正面設置有感光區和位于感光區周圍的焊盤;金屬件,位于所述焊盤背對所述芯片一側;透明保護層,位于所述芯片的正面且覆蓋所述芯片的所述感光區,所述金屬件遠離所述芯片的第一端表面從所述透明保護層中露出;電路板,位于所述芯片的背面;導電連接件,電性連接所述金屬件從所述透明保護層中露出的所述第一端的表面和電路板,以使得所述芯片與所述電路板電連接。通過上述方式,本申請能夠提高芯片的感光效果。
技術領域
本申請涉及半導體技術領域,特別是涉及一種半導體芯片封裝器件。
背景技術
具有感光區的芯片是攝像設備十分重要的組成部分,為保護芯片的感光區,常用的封裝方法包括:在芯片的感光區的上方增加透明玻璃蓋板以保護芯片的感光區。
本申請的發明人在長期研究過程中發現,一方面,由于透明玻璃蓋板厚度一般較厚,光線穿透透明玻璃時會發生折射、反射和能量損失等,會使芯片的感光效果變差;另一方面,透明玻璃蓋板與芯片之間通過膠連接,使用較長時間后,膠容易脫落,外界灰塵容易進入芯片的感光區,進而影響芯片的感光效果。
發明內容
本申請主要解決的技術問題是提供一種半導體封裝器件,能夠提高芯片的感光效果。
為解決上述技術問題,本申請采用的一個技術方案是:提供一種半導體封裝器件,所述封裝器件包括:芯片,所述芯片包括正面和背面,所述芯片的正面設置有感光區和位于感光區周圍的焊盤;金屬件,位于所述焊盤背對所述芯片一側;透明保護層,位于所述芯片的正面且覆蓋所述芯片的所述感光區,所述金屬件遠離所述芯片的第一端表面從所述透明保護層中露出;電路板,位于所述芯片的背面;導電連接件,電性連接所述金屬件從所述透明保護層中露出的所述第一端的表面和電路板,以使得所述芯片與所述電路板電連接。
其中,所述透明保護層由旋涂、點膠或印刷的方式形成。
其中,所述透明保護層為經紫外線照射或者烘烤的方式固化后的材質。
其中,所述導電連接件為導線。
其中,所述導電連接件為具有導電性能的折板,所述折板包括互相連接的第一部和第二部;所述第一部與所述芯片的正面平行,且所述第一部沿朝向所述芯片方向延伸;所述第二部與所述芯片的側壁平行,且所述第二部緊靠所述芯片的側壁設置;所述第一部與所述金屬件的所述第一端電連接,所述第二部面向所述電路板一側與所述電路板電連接。
其中,所述導電連接件為具有導電性能的折板,所述折板包括第一部、第二部、第三部;其中,所述第一部通過所述第二部與所述第三部連接,所述第一部與所述芯片的正面平行,且所述第一部沿朝向所述芯片方向延伸;所述第二部與所述芯片的側壁平行,且所述第二部緊靠所述芯片的側壁設置;所述第三部向遠離芯片方向延伸,且所述第三部與所述電路板的表面平行,所述第一部與所述金屬件的所述第一端電連接,所述第三部面向所述電路板一側與所述電路板電連接。
其中,所述折板為全金屬材料;或者,所述折板包括金屬材料和位于金屬材料周圍的絕緣材料。
其中,所述金屬件與所述芯片的所述正面之間的高度與所述透明保護層與所述芯片的所述正面之間的高度相等。
其中,所述金屬件與所述芯片的所述正面之間的高度小于所述透明保護層與所述芯片的所述正面之間的高度,且所述透明保護層對應所述金屬件的位置設置有開口。
其中,所述金屬件為金屬凸柱或金屬凸點。
其中,所述器件還包括焊球,所述焊球位于所述金屬件從所述透明保護層中露出的所述第一端的表面,所述焊球與所述導電連接件電性連接。
其中,所述金屬件與所述芯片的所述正面之間的高度大于所述透明保護層與所述芯片的所述正面之間的高度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





