[發明專利]一種具有夾層的類金剛石膜

在審

• 申請號: 201811341661.5
• 申請日: 2018-11-12
• 公開（公告）號: CN109518156A
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 陳云楓;鄒飛揚;鄒曉洙
• 申請（專利權）人: 長沙創恒機械設備有限公司
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26;C23C16/02;C23C16/511;C23C16/06;C23C16/32
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本發明提出了一種具有夾層的類金剛石膜，所述類金剛石膜包括三層結構，該三層結構包括作為基層的底層介質層、中間介質層以及置于表面的類金剛石層，所述底層介質層為Co，中間介質層為Ti系材料；所述底層介質層、中間介質層以及類金剛石層均采用微波等離子體氣相沉積方法制備得到；其中，所述底層介質層的厚度為1～5um，所述中間介質層的厚度為100～800nm，所述類金剛石層的厚度為1～5um。采用本發明的類金剛石，由于該中間層為Ti系材料，提高了形成DLC的結合度。

技術領域

本發明涉及薄膜制備技術領域，尤其涉及一種具有夾層的類金剛石膜。

背景技術

一般而言，已知在基材的表面形成DLC(Diamond-Liked Carbon，類金剛石膜)膜時，基材與DLC膜的結合度差，DLC膜變得容易剝離。

鑒于上述原因，有必要提出一種能夠提高基材與DLC膜的密合性的類金剛石膜。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種具有夾層的類金剛石膜，旨在提出一種能夠提高基材與DLC膜的密合性的類金剛石膜。

為實現上述目的，本發明提供的一種具有夾層的類金剛石膜，所述類金剛石膜包括三層結構，該三層結構包括作為基層的底層介質層、中間介質層以及置于表面的類金剛石層，所述底層介質層為Co，中間介質層為Ti系材料；

所述底層介質層、中間介質層以及類金剛石層均采用微波等離子體氣相沉積方法制備得到；其中，所述底層介質層的厚度為1～5um，所述中間介質層的厚度為100～800nm，所述類金剛石層的厚度為1～5um。

優選地，所述中間介質層包括Ti和TiC。

優選地，所述中間介質層的Ti的厚度為100～200nm，所述TiC的厚度為200～300nm。

優選地，所述底層介質層的厚度為1um，所述中間介質層的Ti的厚度為100nm，所述TiC的厚度為200nm，所述類金剛石層的厚度為1um。

優選地，所述底層介質層的厚度為3um，所述中間介質層的Ti的厚度為150nm，所述TiC的厚度為250nm，所述類金剛石層的厚度為3um。

優選地，所述底層介質層的厚度為5um，所述中間介質層的Ti的厚度為200nm，所述TiC的厚度為300nm，所述類金剛石層的厚度為5um。

本發明類金剛石膜包括三層結構，該三層結構包括作為基層的底層介質層、中間介質層以及置于表面的類金剛石層，所述底層介質層為Co，中間介質層為Ti系材料；所述底層介質層、中間介質層以及類金剛石層均采用微波等離子體氣相沉積方法制備得到；其中，所述底層介質層的厚度為1～5um，所述中間介質層的厚度為100～800nm，所述類金剛石層的厚度為1～5um。采用本發明的類金剛石，由于該中間層為Ti系材料，提高了形成DLC的結合度。

具體實施方式

下面結合具體實施例對本發明實施例解決的技術問題、所采用的技術方案以及實現的技術效果進行清楚、完整的描述。顯然，所描述的實施例僅僅是本申請的一部分實施例，并不是全部實施例。基于本申請中的實施例，本領域普通技術人員在不付出創造性勞動的前提下，所獲得的所有其它等同或明顯變型的實施例均落在本發明的保護范圍內。本發明實施例可以按照權利要求中限定和涵蓋的多種不同方式來具體化。

需要說明的是，在下面的描述中，為了方便理解，給出了許多具體細節。但是很明顯，本發明的實現可以沒有這些具體細節。

需要說明的是，在沒有明確限定或不沖突的情況下，本發明中的各個實施例及其中的技術特征可以相互組合而形成技術方案。

本發明提出了一種具有夾層的類金剛石膜，旨在提出一種能夠提高基材與DLC膜的密合性的類金剛石膜。