[發明專利]一種具有夾層的類金剛石膜

在審

• 申請號: 201811341661.5
• 申請日: 2018-11-12
• 公開（公告）號: CN109518156A
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 陳云楓;鄒飛揚;鄒曉洙
• 申請（專利權）人: 長沙創恒機械設備有限公司
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26;C23C16/02;C23C16/511;C23C16/06;C23C16/32
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1.一種具有夾層的類金剛石膜，其特征在于，所述類金剛石膜包括三層結構，該三層結構包括作為基層的底層介質層、中間介質層以及置于表面的類金剛石層，所述底層介質層為Co，中間介質層為Ti系材料；

所述底層介質層、中間介質層以及類金剛石層均采用微波等離子體氣相沉積方法制備得到；其中，所述底層介質層的厚度為1~5um，所述中間介質層的厚度為100~800nm，所述類金剛石層的厚度為1~5um。

2.根據權利要求1所述的具有夾層的類金剛石膜，其特征在于，所述中間介質層包括Ti和TiC。

3.根據權利要求1所述的具有夾層的類金剛石膜，其特征在于，所述中間介質層的Ti的厚度為100~200nm，所述TiC的厚度為200~300nm。

4.根據權利要求1所述的具有夾層的類金剛石膜，其特征在于，所述底層介質層的厚度為1um，所述中間介質層的Ti的厚度為100nm，所述TiC的厚度為200nm，所述類金剛石層的厚度為1um。

5.根據權利要求1所述的具有夾層的類金剛石膜，其特征在于，所述底層介質層的厚度為3um，所述中間介質層的Ti的厚度為150nm，所述TiC的厚度為250nm，所述類金剛石層的厚度為3um。

6.根據權利要求1所述的具有夾層的類金剛石膜，其特征在于，所述底層介質層的厚度為5um，所述中間介質層的Ti的厚度為200nm，所述TiC的厚度為300nm，所述類金剛石層的厚度為5um。