[發明專利]一種高頻組件封裝過渡件及保證過渡件焊接氣密性的方法

在審

• 申請號: 201811339277.1
• 申請日: 2018-11-12
• 公開（公告）號: CN109454356A
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發明（設計）人: 馮東;于辰偉;楊磊;張玉君
• 申請（專利權）人: 合肥圣達電子科技實業有限公司
• 主分類號: B23K31/12
• 分類號: B23K31/12
• 代理公司: 合肥天明專利事務所(普通合伙) 34115
• 代理人: 婁岳

本發明提供一種高頻組件封裝過渡件及保證過渡件焊接氣密性的方法，包括過渡件，所述過渡件包括金屬環、布置于金屬環內帶有貫穿孔的玻璃絕緣子和布置于玻璃絕緣子內的引線，由低溫除氣、中溫處理和高溫彌合使得金屬環與玻璃絕緣子之間的氣密性較理想，加裝的金屬環方便后期與金屬罩殼的焊接，在后期處理過程中利用金屬與金屬之間的焊接代替原有金屬與玻璃絕緣子之間的焊接，進而降低后期的處理難度，提高高頻組件罩殼的氣密性，使得過渡件的適用范圍較廣，不單單局限于焊接在高頻組件使用的金屬外殼上。

技術領域

本發明涉及電子封裝技術領域，具體涉及一種高頻組件封裝過渡件及保證過渡件焊接氣密性的方法。

背景技術

在電子元器件領域，金屬外殼是封裝芯片的外衣，包括過渡件和引線，金屬外殼在使用過程中利用過渡件對引線固定，由引線對內部芯片進行接通，現有的過渡件大多為玻璃絕緣子，金屬外殼和絕緣子在焊接過程中，由于不同材質間的線膨脹系數等性能存在差異，容易產生氣泡，氣泡表面上的不同材質連接處易產生應力，形成應力集中點，該處易發展成為裂紋源，因絕緣子具有很大的脆性，一旦金屬外殼受到外力、溫度等因素沖擊時，引起受力狀態發生變化、玻璃強度降低，導致裂紋源易被激發而擴展形成為玻璃裂紋，當界面氣泡間的裂紋相連并貫通整個界面時，就形成漏氣通道，該金屬外殼就會因氣密性不合格而失效，氣密性是金屬外殼質量和可靠性考核的重要指標之一，也是金屬外殼生產過程中的必須監控項，而金屬外殼的氣密性主要是通過玻璃絕緣子與金屬封接實現，直接對玻璃絕緣子和金屬罩殼之間焊接的效率較低，占用空間較大，如果電子元器件使用氣密性不合格的金屬外殼，外界水汽、有害離子或氣體等會進入電子元器件的腔體內部，導致元件表面產生漏電、參數變差等失效現象。

發明內容

本發明提供一種高頻組件封裝過渡件及保證過渡件焊接氣密性的方法，利用加裝的金屬環方便后期與金屬罩殼的焊接，在后期處理過程中利用金屬與金屬之間的焊接代替金屬與玻璃絕緣子之間的焊接，進而降低后期的處理難度。

為解決上述技術問題，本發明采用如下技術方案：

一種高頻組件封裝過渡件，包括過渡件，所述過渡件包括金屬環、布置于金屬環內帶有貫穿孔的玻璃絕緣子和布置于玻璃絕緣子內的引線。

進一步的，所述金屬環和引線均經過預氧化處理。

一種保證過渡件焊接氣密性的方法，包括如下步驟：

S1:過渡件組裝和夾裝，將預氧化引線穿入玻璃絕緣子的貫穿孔，并將預氧化金屬環套置在玻璃絕緣子外環，利用夾裝工具固定住過渡件的軸向端部；

S2:低溫除氣,將夾裝完成的過渡件放入真空爐內進行低溫抽真空并保溫靜置;

S3:中溫處理,將低溫除氣處理后過渡件的真空爐進行第二次抽真空，并進行加熱和保溫靜置;

S4:高溫彌合,將中溫處理后的過渡件進行第二次加熱處理，并保持溫度靜置;

S5:冷卻處理，卸除加熱爐內壓強，高溫彌合后的過渡件隨爐冷卻。

進一步的，所述步驟S2低溫除氣中真空爐的真空度為-5～10²Pa，處理溫度為玻璃絕緣子的轉變點附近，處理時間為0.5～2h。

進一步的，所述步驟S3中溫處理中加熱爐的真空度為1～10²Pa，處理溫度高于玻璃絕緣子的軟化點30℃～70℃，保溫時間為0.4～0.6h。

進一步的，所述步驟S4高溫彌合中處理溫度為玻璃液相線，保溫時間為5min～20min。