[發明專利]一種高頻組件封裝過渡件及保證過渡件焊接氣密性的方法在審
| 申請號： | 201811339277.1 | 申請日： | 2018-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN109454356A | 公開（公告）日： | 2019-03-12 |
| 發明（設計）人： | 馮東;于辰偉;楊磊;張玉君 | 申請（專利權）人： | 合肥圣達電子科技實業有限公司 |
| 主分類號： | B23K31/12 | 分類號： | B23K31/12 |
| 代理公司： | 合肥天明專利事務所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 婁岳 |
| 地址： | 230088 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 過渡件 玻璃絕緣子 高頻組件 金屬環 焊接 焊接氣密性 氣密性 金屬 封裝 后期處理 金屬外殼 金屬罩殼 中溫處理 貫穿孔 除氣 加裝 罩殼 保證 局限 | ||
1.一種高頻組件封裝過渡件，包括過渡件（1），其特征在于：所述過渡件（1）包括金屬環（2）、布置于金屬環內帶有貫穿孔的玻璃絕緣子（3）和布置于玻璃絕緣子內的引線（4）。
2.根據權利要求1所述的一種高頻組件封裝過渡件，其特征在于：所述金屬環（2）和引線（4）均經過預氧化處理。
3.根據權利要求1所述的一種保證過渡件焊接氣密性的方法，包括如下步驟：
S1:過渡件組裝和夾裝，將預氧化引線穿入玻璃絕緣子的貫穿孔，并將預氧化金屬環套置在玻璃絕緣子外環，利用夾裝工具固定住過渡件的軸向端部；
S2:低溫除氣,將夾裝完成的過渡件放入真空爐內進行低溫抽真空并保溫靜置;
S3:中溫處理,將低溫除氣處理后過渡件的真空爐進行第二次抽真空，并進行加熱和保溫靜置;
S4:高溫彌合,將中溫處理后的過渡件進行第二次加熱處理，并保持溫度靜置;
S5:冷卻處理，卸除加熱爐內壓強，高溫彌合后的過渡件隨爐冷卻。
4.根據權利要求2所述的一種保證過渡件焊接氣密性的方法，其特征在于：所述步驟S2低溫除氣中真空爐的真空度為-5～102Pa，處理溫度為玻璃絕緣子的轉變點附近，處理時間為0.5～2h。
5.根據權利要求2所述的一種保證過渡件焊接氣密性的方法，其特征在于：所述步驟S3中溫處理中加熱爐的真空度為1～102Pa，處理溫度高于玻璃絕緣子的軟化點30℃～70℃，保溫時間為0.4～0.6h。
6.根據權利要求2所述的一種保證過渡件焊接氣密性的方法，其特征在于：所述步驟S4高溫彌合中處理溫度為玻璃液相線，保溫時間為5min～20min。
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