[發(fā)明專利]一種面向單芯片實(shí)現(xiàn)的毫米波整流裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811337846.9
• 申請(qǐng)日: 2018-11-12
• 公開（公告）號(hào): CN109635607B
• 公開（公告）日: 2019-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張耀輝;韓小西;陳小明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 曉函安全（北京）科技有限公司
• 主分類號(hào): G06K7/10
• 分類號(hào): G06K7/10
• 代理公司: 北京新知遠(yuǎn)方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11397
• 代理人: 馬軍芳;張艷

1.一種面向單芯片實(shí)現(xiàn)的毫米波整流裝置，包括用于接收毫米波的天線，其特征在于，還包括第一隔離單元、第二隔離單元、整流單元以及儲(chǔ)能單元，其中：

所述第一隔離單元，和所述天線電連接，用于接收天線傳輸?shù)暮撩撞芰浚⒑撩撞芰恐械母哳l分量分別傳輸至第二隔離單元和整流單元；

所述整流單元，用于接收所述第一隔離單元傳輸?shù)母哳l分量，將接收到的所述高頻分量進(jìn)行整流，將整流后得到的整流分量傳輸給所述第二隔離單元；

所述第二隔離單元，分別和第一隔離單元和整流單元電連接，用于接收所述第一隔離單元傳輸?shù)慕?jīng)整流單元整流后的整流分量，隔離所述整流分量中的高頻分量，以獲得直流分量，并將所述直流分量傳輸至儲(chǔ)能單元；

所述儲(chǔ)能單元，用于存儲(chǔ)所述第二隔離單元傳輸?shù)闹绷鞣至浚?/p>

其中，所述整流單元，包括第一傳輸線、第二傳輸線、第三傳輸線和二極管；

其中，所述第一傳輸線和第二傳輸線各自一端懸空；

所述第一傳輸線未懸空的一端和第二傳輸線未懸空的一端，與第三傳輸線的一端連接，第三傳輸線的另一端與二極管的陰極連接，二極管陽極接地。

2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一隔離單元，包含至少一個(gè)電容。

3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述電容是金屬-絕緣層-金屬電容電容。

4.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述電容的容值范圍為0.01皮法～0.2皮法。

5.如權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述電容的容值為0.1皮法。

6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第二隔離單元，包含至少一個(gè)電感。

7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述電感是層狀繞型電感。

8.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述電感的取值范圍為0.1納亨利～1納亨利。

9.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述電感的取值為0.5納亨利。

10.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一傳輸線、第二傳輸線和第三傳輸線的材質(zhì)相同。

11.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一傳輸線阻值范圍為10歐姆～100歐姆。

12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，所述第一傳輸線的阻值是接收的毫米波波長(zhǎng)的1/12。

13.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第二傳輸線阻值范圍為10歐姆～100歐姆。

14.如權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，所述第二傳輸線的阻值為接收的毫米波波長(zhǎng)的1/8。

15.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第三傳輸線阻值范圍為10歐姆～100歐姆。

16.如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述第三傳輸線阻值為接收的毫米波波長(zhǎng)的1/4。

17.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述二極管是肖特基二極管。