[發(fā)明專利]三維存儲器及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811330532.6
• 申請日: 2018-11-09
• 公開（公告）號: CN109473433B
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張坤;鮑琨;夏志良
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 姚璐華;王寶筠

本發(fā)明公開了一種三維存儲器及其制作方法，在制作三維存儲器時(shí)，通過第一平坦化處理，去除所述第一刻蝕阻擋層上的層結(jié)構(gòu)，露出所述導(dǎo)電接觸、所述溝道孔結(jié)構(gòu)以及所述共源極導(dǎo)電接觸，一次性平坦化處理同時(shí)露出所述導(dǎo)電接觸、所述溝道孔結(jié)構(gòu)以及所述共源極導(dǎo)電接觸，可以在在后續(xù)工藝中同時(shí)形成與各個(gè)所述導(dǎo)電接觸一一對應(yīng)電接觸的導(dǎo)電觸點(diǎn)、與所述溝道孔結(jié)構(gòu)電接觸的第一接觸端以及與所述共源極導(dǎo)電接觸電接觸的第二接觸端，減少平坦化處理次數(shù)，簡化了工藝步驟，降低了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及存儲裝置技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說，涉及一種三維存儲器(3D NAND)及其制作方法。

背景技術(shù)

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，越來越多的電子設(shè)備應(yīng)用到人們的日常生活以及工作當(dāng)中，為人們的日常生活以及工作帶來了巨大的便利，成為當(dāng)今人們不可或缺的重要工具。存儲器是許多電子設(shè)備的一個(gè)重要器件，隨著電子設(shè)備功能的越來越強(qiáng)大，其需要存儲器的數(shù)據(jù)越來越多，要求存儲器的存儲器容量越來越大。

3D NAND將存儲單元在垂直于襯底的方向上堆疊，能夠在較小的面積上形成更多的存儲單元，相對于傳統(tǒng)二維存儲器，具有更大的存儲容量，是當(dāng)前存儲器領(lǐng)域的一個(gè)主要發(fā)展方向。

現(xiàn)有技術(shù)在制作3D NAND時(shí)，制作方法的工藝復(fù)雜，導(dǎo)致生產(chǎn)成本較高以及生產(chǎn)效率較低。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述問題，本發(fā)明技術(shù)方案提供了一種三維存儲器(3D NAND)及其制作方法，簡化了3D NAND的制作工藝，降低了制作成本，提高了生產(chǎn)效率。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種三維存儲器的制作方法，所述制作方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成功能結(jié)構(gòu)，所述功能結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置在所述襯底上的第一堆疊層、第一刻蝕阻擋層、插塞層以及第二刻蝕阻擋層；所述第一堆疊層包括多層交替層疊設(shè)置的柵極層以及絕緣介質(zhì)層；所述功能結(jié)構(gòu)具有溝道孔結(jié)構(gòu)以及共源極導(dǎo)電接觸，所述溝道孔結(jié)構(gòu)穿過所述第一刻蝕阻擋層延伸至所述襯底，所述共源極導(dǎo)電接觸穿過所述第二刻蝕阻擋層延伸至所述襯底；

形成露出各個(gè)所述柵極層的接觸孔，在所述接觸孔內(nèi)形成導(dǎo)電接觸；

通過第一平坦化處理，去除所述第一刻蝕阻擋層上的層結(jié)構(gòu)，露出所述導(dǎo)電接觸、所述溝道孔結(jié)構(gòu)以及所述共源極導(dǎo)電接觸；

同時(shí)形成與各個(gè)所述導(dǎo)電接觸一一對應(yīng)電接觸的導(dǎo)電觸點(diǎn)、與所述溝道孔結(jié)構(gòu)電接觸的第一接觸端以及與所述共源極導(dǎo)電接觸電接觸的第二接觸端。

優(yōu)選的，在上述制作方法中，所述在所述襯底上形成功能結(jié)構(gòu)包括：

在所述襯底上形成第二堆疊層，在所述第二堆疊層表面形成所述第一刻蝕阻擋層，所述第二堆疊層包括多層交替層疊設(shè)置的假柵層以及所述絕緣介質(zhì)層；

在所述第一刻蝕阻擋層表面形成溝道孔，所述溝道孔貫穿所述第二堆疊層，露出所述襯底的第一區(qū)域；

在所述溝道孔內(nèi)形成所述溝道孔結(jié)構(gòu)，去除所述第一刻蝕阻擋層上的層結(jié)構(gòu)，損耗部分所述第一刻蝕阻擋層，在所述第一刻蝕阻擋層表面形成所述插塞層，所述插塞層填充所述溝道孔頂部的部分作為所述溝道孔結(jié)構(gòu)的插塞結(jié)構(gòu)；

在所述插塞層表面形成所述第二刻蝕阻擋層，在所述第二刻蝕阻擋層表面形成溝槽，露出所述襯底的第二區(qū)域；

通過所述溝槽去除所述假柵層，以在去除的所述假柵層的區(qū)域形成所述柵極層，進(jìn)而形成所述第一堆疊層；

在所述溝槽內(nèi)形成共源極導(dǎo)電接觸。

優(yōu)選的，在上述制作方法中，所述在所述溝道孔內(nèi)形成所述溝道孔結(jié)構(gòu)包括：