[發明專利]三維存儲器及其制作方法

有效

• 申請號: 201811330532.6
• 申請日: 2018-11-09
• 公開（公告）號: CN109473433B
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: 張坤;鮑琨;夏志良
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 姚璐華;王寶筠

1.一種三維存儲器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成功能結構，所述功能結構包括依次層疊設置在所述襯底上的第一堆疊層、第一刻蝕阻擋層、插塞層以及第二刻蝕阻擋層；所述第一堆疊層包括多層交替層疊設置的柵極層以及絕緣介質層；所述功能結構具有溝道孔結構以及共源極導電接觸，所述溝道孔結構穿過所述第一刻蝕阻擋層延伸至所述襯底，所述共源極導電接觸穿過所述第二刻蝕阻擋層延伸至所述襯底；

形成露出各個所述柵極層的接觸孔，在所述接觸孔內形成導電接觸；

通過第一平坦化處理，去除所述第一刻蝕阻擋層上的層結構，露出所述導電接觸、所述溝道孔結構以及所述共源極導電接觸；

同時形成與各個所述導電接觸一一對應電接觸的導電觸點、與所述溝道孔結構電接觸的第一接觸端以及與所述共源極導電接觸電接觸的第二接觸端。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述襯底上形成功能結構包括：

在所述襯底上形成第二堆疊層，在所述第二堆疊層表面形成所述第一刻蝕阻擋層，所述第二堆疊層包括多層交替層疊設置的假柵層以及所述絕緣介質層；

在所述第一刻蝕阻擋層表面形成溝道孔，所述溝道孔貫穿所述第二堆疊層，露出所述襯底的第一區域；

在所述溝道孔內形成所述溝道孔結構，去除所述第一刻蝕阻擋層上的層結構，損耗部分所述第一刻蝕阻擋層，在所述第一刻蝕阻擋層表面形成所述插塞層，所述插塞層填充所述溝道孔頂部的部分作為所述溝道孔結構的插塞結構；

在所述插塞層表面形成所述第二刻蝕阻擋層，在所述第二刻蝕阻擋層表面形成溝槽，露出所述襯底的第二區域；

通過所述溝槽去除所述假柵層，以在去除的所述假柵層的區域形成所述柵極層，進而形成所述第一堆疊層；

在所述溝槽內形成共源極導電接觸。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述溝道孔內形成所述溝道孔結構包括：

在所述溝道孔的底部形成外延層；

在所述外延層的表面以及所述溝道的側壁形成疊層結構，所述疊層結構至少包括存儲層和保護層，所述存儲層位于所述保護層與所述外延層之間；

去除所述外延層表面的所述疊層結構，露出所述溝道孔的側壁的存儲層；

在所述存儲層表面形成半導體通道層后，填充隔離層；

通過第二平坦化處理，去除所述第一刻蝕阻擋層上的層結構；

去除所述溝道孔頂部的部分隔離層，形成凹槽，在所述凹槽內填充導電材料，形成插塞層。

4.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述溝槽內形成共源極導電接觸包括：

去除所述溝槽側壁以及底部的導電材料，該導電材料用于制備所述柵極層，在所述溝槽側壁形成間隔層；

在所述溝槽內填充導電材料，形成所述共源極導電接觸；

通過第三平坦化處理，去除所述第二刻蝕阻擋層上的層結構。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成露出各個所述柵極層的接觸孔，在所述接觸孔內形成導電接觸包括：

在所述第二刻蝕阻擋層表面形成第三刻蝕阻擋層；

在所述第三刻蝕阻擋層表面形成露出各個所述柵極層的接觸孔；

在所述接觸孔內填充導電材料，以形成所述導電接觸。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成與各個所述導電接觸一一對應電接觸的導電觸點、與所述溝道孔結構電接觸的第一接觸端以及與所述共源極導電接觸電接觸的第二接觸端包括：

在所述第一刻蝕阻擋層表面形成第四刻蝕阻擋層；

在所述第四刻蝕阻擋層對應各個所述導電接觸、所述溝道孔結構以及所述共源極導電接觸的位置分別形成接觸孔；

在所述接觸孔內填充導電材料，以形成所述導電觸點、所述第一接觸端以及所述第二接觸端；

通過第四平坦化處理，去除所述第四刻蝕阻擋層上的層結構。