[發(fā)明專利]樹脂密封金屬模和半導體裝置的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811330420.0
• 申請日: 2018-11-09
• 公開（公告）號: CN109768024A
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發(fā)明（設計）人: 田口康祐
• 申請（專利權）人: 艾普凌科有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L21/56;H01L21/48;H01L23/488
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;閆小龍

1.一種樹脂密封金屬模，對管芯焊盤的半導體芯片裝載面的相反面從樹脂密封體露出的半導體裝置進行成形，所述樹脂密封金屬模的特征在于，具有：

下模腔，設置于下金屬模；

第1上模腔，以與所述下模腔相向的方式設置于上金屬模；以及

第2上模腔，形成為與所述第1上模腔的開口端部連通。

2.根據(jù)權利要求1所述的樹脂密封金屬模，其特征在于，所述第2上模腔的深度比所述第1上模腔的深度小。

3.根據(jù)權利要求2所述的樹脂密封金屬模，其特征在于，所述第2上模腔的深度為與下置的所述管芯焊盤的彎曲深度和所述下模腔的深度的差分同等以上的大小。

4.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有：

準備引線框架的工序，所述引線框架形成有管芯焊盤、對所述管芯焊盤進行支承的多個懸浮引線、在所述管芯焊盤的附近分離地配置的內部引線、和從所述內部引線延伸地設置的外部引線；

對所述引線框架進行加工、以使使所述懸浮引線彎曲且所述管芯焊盤下置于所述內部引線的高度的下方且下置的所述管芯焊盤的彎曲深度比在下金屬模設置的下模腔的深度大的工序；

在所述管芯焊盤裝載半導體芯片的工序；

將所述半導體芯片與所述內部引線電連接的工序；

使所述管芯焊盤的半導體芯片裝載面的相反面與所述下模腔的底面抵接的工序；

使設置有與所述下模腔成對的第1上模腔的上金屬模在與所述下金屬模之間夾住所述引線框架并且使所述懸浮引線的一部分變形并將變形的部分收納于所述第1上模腔和以與所述第1上模腔的開口端部連通的方式形成的第2上模腔的工序；以及

向所述下模腔、第1上模腔和第2上模腔注入密封樹脂來進行樹脂密封的工序。

5.根據(jù)權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述懸浮引線的傾斜角超過90°。