[發明專利]半導體模塊

在審

• 申請號: 201811329434.0
• 申請日: 2018-05-29
• 公開（公告）號: CN110544675A
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發明（設計）人: 漆畑博可;茂野隆;伊藤瑛基;木村涉;遠藤弘隆;小池俊央;河野俊紀
• 申請（專利權）人: 株式會社加藤電器制作所
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/488
• 代理公司: 31204 上海德昭知識產權代理有限公司
• 代理人: 郁旦蓉<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種半導體模塊，其特征在于，包括：

裸片焊盤框；

半導體芯片，配置在所述裸片焊盤框的上端面上的芯片區域上，并且上端面配置有第一電極，下端面配置有第二電極；

裸片焊盤用導電性連接構件，位于所述半導體芯片的所述第二電極與所述裸片焊盤框的上端面之間，用于將所述半導體芯片的所述第二電極與所述裸片焊盤框的上端面電連接；以及

封裝樹脂，用于封裝所述半導體芯片、所述裸片焊盤框、以及所述裸片焊盤用導電性連接構件，

其中，所述裸片焊盤框具有：

突起部，配置在所述裸片焊盤框的主體的端部的上側并且從所述裸片焊盤框的所述主體的上端面向與所述裸片焊盤框的所述主體的上端面相平行的方向延伸，用于提高與所述封裝樹脂之間的密合性，

在所述突起部的前端，設置有部分位于比所述突起部的上端面更上方的鎖緊部，

所述裸片焊盤框的所述突起部上設置有通過激光照射形成的一個或多個激光槽，使一個或多個所述激光槽在所述突起部的上端面上沿所述裸片焊盤框的所述主體的端部延伸。

2.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于：

其中，與所述突起部的上端面上的所述激光槽所延伸的長度方向相垂直的所述激光槽的截面形狀呈V字形或U字形，

所述激光槽中的第一激光槽的底部比所述第一激光槽的寬度的中心更偏向配置有所述半導體芯片的芯片區域一側。

3.根據權利要求2所述的半導體模塊，其特征在于：

其中，相對于所述突起部的上端面上形成有所述第一激光槽的槽區域的所述激光照射的方向，從穿過所述突起部的上端面上的所述槽區域的垂直線向所述鎖緊部一側傾斜。

4.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于：

其中，所述突起部的上端面上的與所述激光槽所延伸的長度方向相垂直的所述激光槽的截面形狀呈V字形或U字形，

所述激光槽中的第二激光槽的底部比所述第二激光槽的寬度的中心更偏向所述鎖緊部一側。

5.根據權利要求4所述的半導體模塊，其特征在于：

其中，相對于所述突起部的上端面上形成有所述第二激光槽的槽區域的所述激光照射的方向，從穿過所述突起部的上端面上的所述槽區域的垂直線向配置有所述半導體芯片的芯片區域一側傾斜。

6.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于：

其中，通過所述激光照射，所述激光槽的內端面以及所述激光槽的邊緣部被粗糙化，從而在所述裸片焊盤框的上端面上抑制所述裸片焊盤用導電性連接構件的流動擴展。

7.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于：

其中，所述裸片焊盤框具有：第一邊、一端與所述第一邊相交的第二邊、一端與所述第一邊的另一端相交的第三邊、以及一端與所述第二邊的另一端相交且另一端與所述第三邊相交的第四邊，

所述突起部以及所述鎖緊部被形成在沿第一、第二、以及第三邊的區域上，并且，未被形成在沿所述第四邊的區域上，

在所述裸片焊盤框的上端面上的沿所述第四邊的所述區域上，形成有貫穿所述主體的，并且用于提升與所述封裝樹脂之間的密合性的貫穿孔，

在所述突起部的上端面上，設置有通過所述激光照射形成的所述激光槽，從而使所述激光槽沿所述裸片焊盤框的所述第一、第二、以及第三邊延伸，

沿所述第四邊，在形成有所述貫穿孔的所述區域與所述芯片區域之間，設置有通過激光照射形成的一個或多個追加激光槽。

8.根據權利要求7所述的半導體模塊，其特征在于：

其中，所述激光槽沿所述裸片焊盤框的所述第一、第二、以及第三邊連續形成，

所述追加激光槽的數量多于所述激光槽的數量。

9.根據權利要求7所述的半導體模塊，其特征在于：

其中，所述激光槽與所述追加激光槽相連通，并且將配置有所述半導體芯片的所述裸片焊盤框的芯片區域的外周包圍。

10.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于：

其中，構成所述裸片焊盤框的導電性金屬材料為：銅材、或在銅材中添加了Sn、Zn、Fe、Cr、Ni中的任意一種異種金屬后的合金，所述裸片焊盤框的表面未經過電鍍處理。