[發(fā)明專利]堆疊式TSV結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811328173.0
• 申請日: 2018-11-09
• 公開（公告）號: CN109461749A
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬敬;鐘偉明;金子貴昭
• 申請（專利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038
• 代理人: 韓曉薇

1.一種堆疊式TSV結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

邏輯區(qū)，在所述邏輯區(qū)中形成有第一金屬連線層；

位于邏輯區(qū)上的像素區(qū)，在所述像素區(qū)中形成有第二金屬連線層；以及

穿通硅通孔，所述穿通硅通孔包括從所述第一金屬連線層向上穿通所述邏輯區(qū)到達所述第二金屬連線層的第一通孔，其中所述穿通硅通孔中填充形成有接觸件，所述接觸件接觸所述第一金屬連線層和所述第二金屬連線層，從而使得所述第一金屬連線層電連接到所述第二金屬連線層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊式TSV結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述穿通硅通孔還包括穿通所述邏輯區(qū)的邏輯襯底而到達所述第一金屬連線層的第二通孔。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的堆疊式TSV結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述第二通孔與所述第一通孔連通，并且所述第二通孔的直徑大于或等于所述第一通孔的直徑。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊式TSV結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

位于邏輯區(qū)與像素區(qū)之間的第一中間層，所述邏輯區(qū)與所述像素區(qū)通過所述第一中間層鍵合在一起。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊式TSV結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

載體晶圓，所述載體晶圓承載所述邏輯區(qū)和所述像素區(qū)，并通過第二中間層與所述邏輯區(qū)鍵合在一起。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的堆疊式TSV結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述第一中間層或所述第二中間層包括鍵合在一起的電介質(zhì)層和氧化層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的堆疊式TSV結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述電介質(zhì)層包括氮化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊式TSV結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述穿通硅通孔通過深硅刻蝕工藝而形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊式TSV結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述接觸件包括銅。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊式TSV結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述第一金屬連線層和所述第二金屬連線層包括銅。