[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制造方法、半導(dǎo)體器件和電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811326365.8
• 申請(qǐng)日: 2018-11-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111162044B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王楠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8234
• 分類號(hào): H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成沿第一方向延伸的鰭片墻；

切斷所述鰭片墻以形成至少兩個(gè)彼此隔離的鰭片結(jié)構(gòu)；

形成圍繞所述鰭片結(jié)構(gòu)的隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)露出部分所述鰭片結(jié)構(gòu)；

沿與所述第一方向交叉的第二方向形成與所述鰭片結(jié)構(gòu)相交的柵極結(jié)構(gòu)；

在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的隔離結(jié)構(gòu)上形成源/漏極外延層，所述源/漏極外延層僅與露出的鰭片結(jié)構(gòu)的端面接觸；

由隔離結(jié)構(gòu)露出的部分的鰭片結(jié)構(gòu)寬度大于由隔離結(jié)構(gòu)隔離的部分的寬度。

2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，切斷所述鰭片墻以形成至少兩個(gè)彼此隔離的鰭片結(jié)構(gòu)的方法包括：

形成覆蓋所述半導(dǎo)體襯底和所述鰭片墻的犧牲層，所述犧牲層具有平坦的表面；

形成覆蓋所述犧牲層的圖案化掩膜層，所述圖案化掩膜層在與所述第一方向交叉的第二方向延伸；

以所述圖案化掩膜層為掩膜刻蝕位于所述圖案化掩膜層下方以外的所述犧牲層與所述鰭片墻；

去除所述圖案化掩膜層和所述犧牲層。

3.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述以所述圖案化掩膜層為掩膜刻蝕所述犧牲層與所述鰭片墻的步驟包括：

執(zhí)行干法刻蝕工藝，去除位于所述圖案化掩膜層下方以外的所述犧牲層和所述鰭片墻，以形成具有垂直側(cè)壁的所述鰭片結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述以所述圖案化掩膜層為掩膜刻蝕所述犧牲層與所述鰭片墻的步驟還包括：

在所述干法刻蝕工藝之后執(zhí)行濕法刻蝕工藝，以使所述鰭片結(jié)構(gòu)上擬由所述隔離結(jié)構(gòu)隔離的部分的尺寸減小。

5.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一方向上，所述鰭片結(jié)構(gòu)的寬度大于所述柵極結(jié)構(gòu)的寬度，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的隔離結(jié)構(gòu)上形成源/漏極外延層之前還包括：刻蝕所述鰭片結(jié)構(gòu)以形成擬填充所述源/漏極外延層的凹槽的步驟。

6.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一方向上，所述鰭片結(jié)構(gòu)的寬度等于所述柵極結(jié)構(gòu)的寬度。

7.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭片結(jié)構(gòu)上形成源/漏極外延層的步驟包括：

執(zhí)行外延工藝，以形成所述源/漏極外延層。

8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述執(zhí)行外延工藝之前，以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜刻蝕所述鰭片結(jié)構(gòu)以形成擬填充所述源/漏極外延層的凹槽。

9.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括:

半導(dǎo)體襯底；

沿第一方向并列設(shè)置的至少兩個(gè)鰭片結(jié)構(gòu)，所述鰭片結(jié)構(gòu)彼此隔離；

圍繞所述鰭片結(jié)構(gòu)的隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)露出部分所述鰭片結(jié)構(gòu)；

沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸的柵極結(jié)構(gòu)；

位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述隔離結(jié)構(gòu)上的源/漏極外延層，所述源/漏極外延層僅與露出的鰭片結(jié)構(gòu)的端面接觸；

由隔離結(jié)構(gòu)露出的部分的鰭片結(jié)構(gòu)寬度大于由隔離結(jié)構(gòu)隔離的部分的寬度。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述鰭片結(jié)構(gòu)具有垂直的側(cè)壁。

11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所述第一方向上，所述鰭片結(jié)構(gòu)的寬度等于所述柵極結(jié)構(gòu)的寬度。

12.一種電子裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9-11任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件。