[發明專利]圖像傳感器

在審

• 申請號: 201811325849.0
• 申請日: 2018-11-08
• 公開（公告）號: CN109755264A
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: 鄭慶鴻;張凱峯
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

一種圖像傳感器包括感光元件、存儲元件及驅動電路。存儲元件相鄰于感光元件且包括存儲節點、柵極介電層、存儲柵極電極、刻蝕終止層、屏蔽層、以及保護層。柵極介電層位于存儲節點上。存儲柵極電極位于柵極介電層上。刻蝕終止層覆蓋柵極介電層及存儲柵極電極。屏蔽層位于存儲柵極電極上。保護層夾置在刻蝕終止層與屏蔽層之間。驅動電路與存儲元件相鄰。

技術領域

本發明實施例涉及一種圖像傳感器。更具體來說，本發明實施例涉及一種具有保護層的圖像傳感器。

背景技術

為了拍攝快速移動的物體，優選為使用具有全局快門(global shutter)的圖像傳感器。全局快門常常通過在除了光電二極管(photodiode)及讀出電路系統(readoutcircuitry)以外還在圖像傳感器陣列的每一像素內置放存儲元件來實現。存儲元件被配置成暫時存儲光生電荷(photo-generated charge)，由此使得圖像傳感器陣列的每一行能夠在同一時間開始曝光。

發明內容

一種圖像傳感器包括感光元件、存儲元件、及驅動電路。所述存儲元件與所述感光元件相鄰。所述存儲元件包括存儲節點、柵極介電層、存儲柵極電極、刻蝕終止層、屏蔽層、及保護層。所述柵極介電層位于所述存儲節點上。所述存儲柵極電極位于所述柵極介電層上。所述刻蝕終止層覆蓋所述柵極介電層及所述存儲柵極電極。所述屏蔽層位于所述存儲柵極電極上。所述保護層夾置在所述刻蝕終止層與所述屏蔽層之間。所述驅動電路與所述存儲元件相鄰。

附圖說明

結合附圖閱讀以下詳細說明，會最好地理解本公開的各個方面。應注意，根據本行業中的標準慣例，各種特征并非按比例繪制。事實上，為論述清晰起見，可任意增大或減小各種特征的尺寸。

圖1是示出根據本公開一些實施例的圖像傳感器的示意圖。

圖2是圖1所示的存儲元件的示意性俯視圖。

圖3A到圖3O是示出在存儲元件的制造方法中的各種階段沿圖2所示的線A-A’的示意性剖視圖。

圖4是存儲元件沿圖2所示的線B-B’的示意性剖視圖。

附圖標號說明

10：圖像傳感器

100：襯底

102a、102b：第一摻雜區

104a、104b：第二摻雜區

110：存儲節點

200：柵極介電層

300：刻蝕終止層

400：介電層

402、402a、402b：第一介電層

404：第二介電層

500、500a：終止層

600：保護材料層

600a：保護層

700：屏蔽材料層

700a：屏蔽層

800：導電接觸件

900：內連結構

902：內連導電圖案

904：內連介電層

B_700a：底表面

DC：驅動電路

FD：浮動擴散區

OP1：開口