[發明專利]一種半導體器件中柵極材料高度的監控方法有效
| 申請號： | 201811325528.0 | 申請日： | 2018-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN111162125B | 公開（公告）日： | 2022-09-16 |
| 發明（設計）人： | 肖魁;方冬;卞錚 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 柵極 材料 高度 監控 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件中柵極材料高度的監控方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供半導體襯底，采用干法刻蝕工藝在所述半導體襯底中形成溝槽；
在所述溝槽中填充柵極材料；
量測所述柵極材料頂面兩點之間的電阻，即柵極材料的電阻；
利用所述柵極材料的電阻、柵極材料的電阻率、柵極材料的寬度、柵極材料的長度計算所述柵極材料的高度；其中，所述柵極材料的長度為量測所述柵極材料的電阻時所述柵極材料頂面兩點之間的距離，所述柵極材料的寬度為所述溝槽的寬度；
計算第一柵極材料的高度以及第二柵極材料的高度，并計算所述第一柵極材料的高度和所述第二柵極材料的高度的高度差；其中，所述第一柵極材料的高度包括刻蝕步驟前柵極材料的高度，所述第二柵極材料的高度包括刻蝕步驟后柵極材料的高度，所述高度差為柵極材料的刻蝕深度。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，量測所述柵極材料暴露的頂面任意兩點之間的電阻。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極材料上形成有多個接觸孔，量測任意兩個所述接觸孔之間的電阻。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體器件包括普通溝槽型VDMOS器件或分柵溝槽型VDMOS器件。
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