[發(fā)明專利]制造包括增強頂部晶片的半導體封裝的方法

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• 申請日: 2018-11-08
• 公開（公告）號: CN110176403A
• 公開（公告）日: 2019-08-27
• 發(fā)明（設計）人: 韓權煥
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/522
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

制造包括增強頂部晶片的半導體封裝的方法。一種制造半導體封裝的方法可包括以下步驟：在基礎晶片晶圓上形成層疊結構；在層疊結構上設置頂部晶片晶圓；以及形成填充基礎晶片晶圓與頂部晶片晶圓之間的空間的模制層。

技術領域

本公開涉及半導體封裝技術，更具體地講，涉及制造半導體封裝的方法。

背景技術

在各種電子產(chǎn)品中需要具有大容量的半導體封裝。因此，已提出各種封裝結構以增加嵌入在單個半導體封裝中的半導體芯片的數(shù)量。例如，至少兩個半導體芯片可被層疊以提供層疊封裝。然而，諸如半導體封裝的厚度和尺寸的形狀因子可能有限。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)實施方式，可提供一種制造半導體封裝的方法。該方法可包括以下步驟：在基礎晶片晶圓上形成層疊結構；在層疊結構上設置頂部晶片晶圓；以及形成填充基礎晶片晶圓和頂部晶片晶圓之間的空間的模制層。

根據(jù)另一實施方式，可提供一種制造半導體封裝的方法。該方法可包括在基礎晶片晶圓上形成層疊結構。可在層疊結構上設置具有溝槽的頂部晶片晶圓。該溝槽可朝著基礎晶片晶圓開口。可形成模制層以填充基礎晶片晶圓和頂部晶片晶圓之間的空間。

附圖說明

圖1至圖7是示出根據(jù)實施方式的制造半導體封裝的方法的橫截面圖。

圖8是示出根據(jù)實施方式的半導體封裝的橫截面圖。

圖9和圖10是示出根據(jù)另一實施方式的制造半導體封裝的方法的橫截面圖。

圖11是示出根據(jù)另一實施方式的半導體封裝的橫截面圖。

圖12是示出采用包括根據(jù)實施方式的半導體封裝的存儲卡的電子系統(tǒng)的框圖。

圖13是示出包括根據(jù)實施方式的半導體封裝的另一電子系統(tǒng)的框圖。

具體實施方式

以下將參照附圖描述本公開的各種實施方式。然而，這里所描述的實施方式僅是為了例示，而非旨在限制本公開的范圍。

本文所使用的術語可對應于考慮其在本公開的實施方式中的功能而選擇的詞，術語的含義可根據(jù)本公開的實施方式所屬領域的普通技術人員而不同地解釋。如果被詳細定義，則術語可根據(jù)所述定義來解釋。除非另外定義，否則本文所使用的術語(包括技術術語和科學術語)具有本公開的實施方式所屬領域的普通技術人員通常理解的相同含義。將理解，盡管本文中可使用術語“第一”、“第二”、“第三”等來描述各種元件，這些元件不應受這些術語限制。這些術語僅用于將一個元件區(qū)別于另一元件，而非用于僅定義元件本身或者意指特定順序。

還將理解，當元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ吧戏健薄ⅰ跋旅妗薄ⅰ跋路健被颉巴鈧取睍r，該元件或?qū)涌膳c另一元件或?qū)又苯咏佑|，或者可存在中間元件或?qū)印Ｓ糜诿枋鲈驅(qū)又g的關系的其它詞語應該以類似的方式解釋(例如，“在...之間”與“直接在...之間”或者“相鄰”與“直接相鄰”)。

諸如“在...之下”、“在...下面”、“下”、“上面”、“上”、“頂部”、“底部”等的空間相對術語可用于描述元件和/或特征與另一元件和/或特征的關系(例如，如圖中所示)。將理解，除了附圖中所描繪的取向之外，空間相對術語旨在涵蓋裝置在使用和/或操作中的不同取向。例如，當附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)時，被描述為在其它元件或特征下面和/或之下的元件將被取向為在其它元件或特征上面。裝置可按照其它方式取向(旋轉(zhuǎn)90度或處于其它取向)并且相應地解釋本文中所使用的空間相對描述符。