[發明專利]一種改善管式PECVD色差降級的鍍膜方法

在審

• 申請號: 201811323234.4
• 申請日: 2018-11-08
• 公開（公告）號: CN109355642A
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 姚銀根
• 申請（專利權）人: 百力達太陽能股份有限公司
• 主分類號: C23C16/50
• 分類號: C23C16/50;C23C16/34
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

本發明公開了一種改善管式PECVD色差降級的鍍膜方法，包括以下步驟，步驟一，分色：對所產生的色差片進行分色，以目標顏色的膜厚為基準，將低于或高于該準色差片進行分類，分成低于該基準的返工片和低于該基準的降級片；步驟二，測試：對于顏色不達標的降級片通過膜厚測試，確定與基準范圍的差距。該改善管式PECVD色差降級的鍍膜方法極大地降低了鍍膜色差的返工比例，提高了整體合格率，同時也降低了返工成本。

技術領域：

本發明涉及太陽能電池領域，具體講是一種改善管式PECVD色差降級的鍍膜方法。

背景技術：

在太陽能光伏電池片的生產制造過程中，普遍采用具有良好減反射和表面鈍化的氮化硅膜。在電池片生產過程中，通常采用PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)方式進行鍍氮化硅膜，分為板式PECVD和管式PECVD，板式PECVD鍍膜均勻性較好，但氮化硅膜致密性較管式PECVD差，管式PECVD在電池片電性能上有相對優勢，有較高的光電轉換效率，目前氮化硅膜的沉積大部分使用管式PECVD,但是管式PECVD對膜的均勻性有一定的影響，通常有較大比例的色差降級。一般出現色差片等外觀顏色不良品就需要返工處理，使用高濃度氫氟酸去除氮化硅膜，然后再重新制絨、擴散、刻蝕，再鍍氮化硅膜，返工比較麻煩，而且返工均會造成硅片損傷，也會增加硅片的碎片率，提高電池片的生產成本。

發明內容：

本發明所要解決的技術問題是，提供一種降低鍍膜色差的返工比例，提高整體合格率，同時也降低返工成本的改善管式PECVD色差降級的鍍膜方法。

本發明的技術解決方案是，提供一種改善管式PECVD色差降級的鍍膜方法，包括以下步驟，

步驟一，分色：對所產生的色差片進行分色，以目標顏色的膜厚為基準，將低于或高于該準色差片進行分類，分成低于該基準的返工片和低于該基準的降級片；

步驟二，測試：對于顏色不達標的降級片通過膜厚測試，確定與基準范圍的差距；

步驟三，調整膜厚：根據膜厚差距，在機臺上將膜厚不達標的降級片重新進管式PECVD進行補鍍工藝，在補鍍工藝運行至等離子發射步時，根據膜厚和鍍膜時間關系，調整鍍膜時間來達到相差的膜厚，從而使色差降級片到達標準膜厚。

采用以上方案后與現有技術相比，本發明具有以下優點：極大地降低了鍍膜色差的返工比例，提高了整體合格率，同時也降低了返工成本。

附圖說明：

圖1為本發明實施例的流程圖。

具體實施方式：

下面結合附圖就具體實施方式對本發明作進一步說明：

如圖1所示，一種改善管式PECVD色差降級的鍍膜方法，包括以下步驟，

步驟一，分色：對所產生的色差片進行分色，以目標顏色的膜厚為基準，將低于或高于該準色差片進行分類，分成低于該基準的返工片和低于該基準的降級片；例如目標顏色范圍的膜厚在80-85納米，那么低于該基準膜厚的歸為一類，即降級片，高于該基準膜厚的歸為一類，即返工片，返工片返工處理到基準膜厚；通常在生產過程中，由于設備和外部供氣等因素，絕大多處會造成工藝中斷，出現較多的顏色膜厚不達標的情況，也就是說降級片較多；

步驟二，測試：對于顏色不達標的降級片通過膜厚測試，確定與基準范圍的差距；

步驟三，調整膜厚：根據膜厚差距，在機臺上將膜厚不達標的降級片重新進管式PECVD進行補鍍工藝，在補鍍工藝運行至等離子發射步時，根據膜厚和鍍膜時間關系，調整鍍膜時間來達到相差的膜厚，從而使色差降級片到達標準膜厚。

本發明通過對降級片進行補鍍工藝，使其達到目標顏色，極大地降低了鍍膜色差的返工比例，提高了整體合格率，同時也降低了返工成本。

以上僅就本發明較佳的實施例作了說明，但不能理解為是對權利要求的限制。凡是利用本發明說明書所做的等效結構或等效流程變換，均包括在本發明的專利保護范圍之內。