[發明專利]適用于TR組件無次序加電的內置小型化保護電路有效
| 申請號: | 201811322284.0 | 申請日: | 2018-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN109449915B | 公開(公告)日: | 2019-12-03 |
| 發明(設計)人: | 張紅英;楊晶晶;許建華;陳凱;莫志明;趙濤 | 申請(專利權)人: | 上海航天電子通訊設備研究所 |
| 主分類號: | H02H11/00 | 分類號: | H02H11/00 |
| 代理公司: | 31236 上海漢聲知識產權代理有限公司 | 代理人: | 胡晶<國際申請>=<國際公布>=<進入國 |
| 地址: | 200082 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電源檢測器 電路 加電 串聯電阻 下拉電阻 內置 外部電源電壓 內部電路 免調試 級聯 串聯 | ||
本發明提供了一種適用于TR組件無次序加電的內置小型化保護電路,包括:電源檢測器、MOS驅動器、PMOS管、下拉電阻及串聯電阻,所述電源檢測器、MOS驅動器、PMOS管依次級聯,其中,所述下拉電阻連接至所述電源檢測器與MOS驅動器的連接處,所述串聯電阻串聯于所述MOS驅動器、PMOS管之間。該電路解決了TR組件的三種外部電源電壓(+5V、?5V、Vd)因無次序加電造成TR組件內部電路故障的問題,電路簡明,小型化,免調試。
技術領域
本發明涉及有源相控陣TR組件技術領域,特別涉及一種適用于TR組件無次序加電的內置小型化保護電路。
背景技術
TR組件是有源相控陣的核心部件,通常TR組件工作需要三種外加電源,分別為+5V、-5V、Vd(若選用GaAs器件,Vd范圍為+8V~+10V)。TR組件中發射通道的末端會用到功率放大器,一般功率放大器為雙電源工作(柵壓、漏壓),加電順序為先加柵壓再加漏壓,若反之則功放會受損甚至燒毀。如GaAs功率放大器,通常柵壓為-0.6V、漏壓為+8V。一般柵壓由電源-5V經相應電路產生柵壓(-0.6V),若功率放大器要正常工作,需使+8V電壓晚于-5V電壓到達TR組件功率放大器及其調制電路。
其次,隨著技術的進步,TR組件的外形尺寸越來越小,加電保護電路除了滿足性能可靠外,還需進行小型化設計。
其中,在專利申請號為201520109768.2的實用新型專利中提供了一種用于TR組件的供電電源的時序控制和保護電路,該實用新型專利中的保護電路涉及6部分電路,包括24個電子元器件。該電路放置于TR組件外部,仍然不夠簡明和小型化。
發明內容
本發明的目的在于提供一種適用于TR組件無次序加電的內置小型化保護電路,以解決現有的由TR組件外部電源無次序加電帶來的電路故障的問題及相關控制及保護電路不夠簡明和小型化的問題。
為實現上述目的,本發明提供了一種適用于TR組件無次序加電的內置小型化保護電路,其特征在于,包括:電源檢測器、MOS驅動器、PMOS管、下拉電阻及串聯電阻,所述電源檢測器、MOS驅動器、PMOS管依次級聯,其中,所述下拉電阻連接至所述電源檢測器與MOS驅動器的連接處,所述串聯電阻串聯于所述MOS驅動器、PMOS管之間。
較佳地,所述電源檢測器包括:電壓檢測電路,用于檢測外部輸入的-5V電壓,并對其電壓值進行判斷;與門電路,實現邏輯“與”運算,邏輯如下:+5V電源電壓加在VDD端口,當IN-5V端口輸入-5V電壓且IN3和IN4端口輸入+5V電壓時,OUT2端口輸出高電平+5V,否則輸出為低電平0V;緩沖驅動器,用于提高輸出驅動能力。
較佳地,所述MOS驅動器為反相MOS驅動器。
較佳地,所述MOS驅動器的輸入端通過所述下拉電阻接地,所述下拉電阻為kΩ級電阻。
較佳地,所述串聯電阻為百歐姆或十歐姆級電阻。
較佳地,所述MOS驅動器的輸出信號經所述串聯電阻輸入所述PMOS管的柵極。
較佳地,外部輸入電壓加載在所述PMOS管的源極,若外部輸入的正負電壓有一者未打入電壓檢測電路時,PMOS管截止,輸出低電平。
較佳地,電路開關上升時間、下降時間設為10~90ns間的任意一值,輸出電流為3-30A間的任意一值。
本發明用于有源相控陣TR組件,由于采取了上述技術方案,因此,解決了由TR組件外部電源無次序加電帶來的電路故障的問題,達到了如下的有益效果:
1)Vd晚于+5V、-5V進行TR組件主電路:
只有當外部電源+5V、-5V輸入時,電壓Vd才可輸出供給功率放大器及其調制電路;保護電路有效地保護了TR組件內的功率放大器及其調制電路。
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