[發明專利]適用于TR組件無次序加電的內置小型化保護電路

有效

• 申請號: 201811322284.0
• 申請日: 2018-11-06
• 公開（公告）號: CN109449915B
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: 張紅英;楊晶晶;許建華;陳凱;莫志明;趙濤
• 申請（專利權）人: 上海航天電子通訊設備研究所
• 主分類號: H02H11/00
• 分類號: H02H11/00
• 代理公司: 31236 上海漢聲知識產權代理有限公司
• 代理人: 胡晶<國際申請>=<國際公布>=<進入國

1.一種適用于TR組件無次序加電的內置小型化保護電路，其特征在于，包括：電源檢測器、MOS驅動器、PMOS管、下拉電阻及串聯電阻，所述電源檢測器、MOS驅動器、PMOS管依次級聯，其中，所述下拉電阻連接至所述電源檢測器與MOS驅動器的連接處，所述串聯電阻串聯于所述MOS驅動器、PMOS管之間；所述電源檢測器包括:電壓檢測電路，用于檢測外部輸入的-5V電壓，并對其電壓值進行判斷；與門電路，實現邏輯“與”運算，邏輯如下：+5V電源電壓加在VDD端口，當IN-5V端口輸入-5V電壓且IN3和IN4端口輸入+5V電壓時，OUT2端口輸出高電平+5V，否則輸出為低電平0V；緩沖驅動器，用于提高輸出驅動能力。

2.根據權利要求1所述的適用于TR組件無次序加電的內置小型化保護電路，其特征在于，所述MOS驅動器為反相MOS驅動器。

3.根據權利要求1或2所述的適用于TR組件無次序加電的內置小型化保護電路，其特征在于，所述MOS驅動器的輸入端通過所述下拉電阻接地，所述下拉電阻為kΩ級電阻。

4.根據權利要求1所述的適用于TR組件無次序加電的內置小型化保護電路，其特征在于，所述串聯電阻為百歐姆或十歐姆級電阻。

5.根據權利要求1所述的適用于TR組件無次序加電的內置小型化保護電路，其特征在于，所述MOS驅動器的輸出信號經所述串聯電阻輸入所述PMOS管的柵極。

6.根據權利要求1所述的適用于TR組件無次序加電的內置小型化保護電路，其特征在于，外部輸入電壓加載在所述PMOS管的源極，若外部輸入的正負電壓有一者未打入電壓檢測電路時，PMOS管截止，輸出低電平。

7.根據權利要求1所述的適用于TR組件無次序加電的內置小型化保護電路，其特征在于，電路開關上升時間、下降時間設為10～90ns間的任意一值，輸出電流為3-30A間的任意一值。