[發(fā)明專利]光刻裝置、光刻方法、決定方法、存儲(chǔ)介質(zhì)和物品制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811321731.0
• 申請(qǐng)日: 2018-11-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109782548B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 間瀨友裕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佳能株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 宋巖

公開(kāi)了光刻裝置、光刻方法、決定方法、存儲(chǔ)介質(zhì)和物品制造方法。本發(fā)明提供了包括第一基板和第一基板之后的第二基板的基板上形成圖案的光刻裝置，該裝置包括決定單元，被配置為從不同的多個(gè)組合中的每個(gè)組合中包括的樣本壓射區(qū)域中的標(biāo)記的檢測(cè)值獲得第一基板上的多個(gè)壓射區(qū)域的第一布局，其中每個(gè)組合由檢測(cè)單元已經(jīng)在相對(duì)于第一基板的精細(xì)對(duì)準(zhǔn)中檢測(cè)了標(biāo)記的樣本壓射區(qū)域中的至少兩個(gè)樣本壓射區(qū)域構(gòu)成，以及基于所述第一布局將所述多個(gè)組合中的一個(gè)中包括的樣本壓射區(qū)域決定為檢測(cè)單元在相對(duì)于第二基板的預(yù)對(duì)準(zhǔn)中檢測(cè)標(biāo)記的樣本壓射區(qū)域。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光刻裝置、光刻方法、決定方法、存儲(chǔ)介質(zhì)和物品制造方法。

背景技術(shù)

近年來(lái)，隨著諸如IC和LSI之類的半導(dǎo)體器件和諸如液晶面板之類的液晶顯示元件的小型化和集成化的進(jìn)步，曝光裝置的精度和功能已經(jīng)改善。在移動(dòng)基板(晶片)的同時(shí)，曝光裝置將形成在原版(中間掩模(reticle))上的圖案順序地轉(zhuǎn)印到基板上的壓射(shot)區(qū)域上。被設(shè)計(jì)成將圖案一起轉(zhuǎn)印到壓射區(qū)域上的曝光裝置被稱為步進(jìn)器。被設(shè)計(jì)成在掃描臺(tái)(stage)的同時(shí)將圖案轉(zhuǎn)印到壓射區(qū)域上的曝光裝置被稱為掃描儀。

在使原版與基板對(duì)準(zhǔn)時(shí)，需要曝光裝置使原版以納米級(jí)精度與基板對(duì)準(zhǔn)(重疊)。作為這種對(duì)準(zhǔn)的一部分的基板位置測(cè)量包括兩種類型的處理，即預(yù)對(duì)準(zhǔn)和精細(xì)對(duì)準(zhǔn)。

預(yù)對(duì)準(zhǔn)是測(cè)量當(dāng)基板被放置在基板卡盤上時(shí)引起的位置偏移量并且以允許正常執(zhí)行精細(xì)對(duì)準(zhǔn)的精度粗略地對(duì)準(zhǔn)基板的處理。因此，預(yù)對(duì)準(zhǔn)需要利用具有寬視場(chǎng)(檢測(cè)范圍)的鏡體(scope)進(jìn)行標(biāo)記檢測(cè)，因此使用低倍率鏡體。低倍率鏡體具有寬視場(chǎng)，并且即使當(dāng)由基板相對(duì)于基板卡盤的放置誤差引起位置偏移時(shí)也可以執(zhí)行標(biāo)記檢測(cè)。然而，該鏡體不具有高精度，因此不能實(shí)現(xiàn)納米級(jí)的對(duì)準(zhǔn)精度。

精細(xì)對(duì)準(zhǔn)是在通過(guò)預(yù)對(duì)準(zhǔn)粗略校正基板的位置偏移之后測(cè)量放置在基板卡盤上的基板的位置，并且然后精確地對(duì)準(zhǔn)基板的處理。精細(xì)對(duì)準(zhǔn)使用具有窄視場(chǎng)的高檢測(cè)精度的高倍率鏡體，以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)的對(duì)準(zhǔn)精度。在執(zhí)行精細(xì)對(duì)準(zhǔn)時(shí)，通過(guò)對(duì)基板上的樣本壓射區(qū)域的檢測(cè)值進(jìn)行統(tǒng)計(jì)處理來(lái)獲得基板的位置和形狀(壓射區(qū)域的布局)。所獲得的信息被反映在基板上的曝光中。在日本專利特開(kāi)No.9-218714中公開(kāi)了這種技術(shù)。

日本專利特開(kāi)No.2009-212153公開(kāi)了如下的技術(shù)，該技術(shù)用于縮短對(duì)準(zhǔn)處理所需的時(shí)間以提高生產(chǎn)率，即，曝光裝置的生產(chǎn)量。日本專利特開(kāi)No.2009-212153公開(kāi)了在預(yù)對(duì)準(zhǔn)中執(zhí)行標(biāo)記檢測(cè)的最后的壓射區(qū)域與在精細(xì)對(duì)準(zhǔn)中執(zhí)行標(biāo)記檢測(cè)的第一壓射區(qū)域相同。這可以縮短在對(duì)準(zhǔn)處理中驅(qū)動(dòng)基板臺(tái)所需的時(shí)間，并因此可以提高生產(chǎn)率。

各種因素導(dǎo)致基板的變形(distortion)。例如，這種變形包括由形成基材的裝置引起的基材的變形和基板本身的變形。在精細(xì)對(duì)準(zhǔn)中，存在許多要在其上執(zhí)行標(biāo)記檢測(cè)的壓射區(qū)域，即，樣本壓射區(qū)域，這些壓射區(qū)域整體被布置在基板上。因此，在精細(xì)對(duì)準(zhǔn)中，即使一些樣本壓射區(qū)域包括局部變形，所有樣本壓射區(qū)域中的包括變形的樣本壓射區(qū)域中的檢測(cè)值也可以作為異常值被排除。以這種方式排除異常值可以獲得適當(dāng)?shù)乇硎净宓淖冃蔚男Ｕ怠?/p>

然而，在預(yù)對(duì)準(zhǔn)中，雖然樣本壓射區(qū)域的數(shù)量越大，預(yù)對(duì)準(zhǔn)的精度越高，但是處理時(shí)間增加。通常，這使得不可能設(shè)置許多樣本壓射區(qū)域。使用少量樣本壓射區(qū)域執(zhí)行預(yù)對(duì)準(zhǔn)使得難以確定樣本壓射區(qū)域中的檢測(cè)值是否包括異常值。因此，當(dāng)一些樣本壓射區(qū)域在預(yù)對(duì)準(zhǔn)中包括變形時(shí)，不能排除這種樣本壓射區(qū)域中的檢測(cè)值，因此不能獲得適當(dāng)?shù)乇硎净宓淖冃蔚男Ｕ怠Ｊ褂眠@樣的校正值執(zhí)行精細(xì)對(duì)準(zhǔn)將導(dǎo)致基板(基板臺(tái))的對(duì)準(zhǔn)中的大的誤差。這使得高倍率鏡體不可能捕獲標(biāo)記。這可能會(huì)導(dǎo)致檢測(cè)誤差。在精細(xì)對(duì)準(zhǔn)中，如果在許多樣本壓射中發(fā)生檢測(cè)誤差，則確定在精細(xì)對(duì)準(zhǔn)中發(fā)生了誤差。這最終導(dǎo)致生產(chǎn)量降低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了有利于執(zhí)行預(yù)對(duì)準(zhǔn)和精細(xì)對(duì)準(zhǔn)的光刻裝置。