[發(fā)明專(zhuān)利]陣列基板的制作方法及陣列基板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811320935.2
• 申請(qǐng)日: 2018-11-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109616443A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱茂霞;徐洪遠(yuǎn)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/77
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂;王中華

本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法及陣列基板。所述陣列基板的制作方法先在襯底基板上形成透明導(dǎo)電薄膜和覆蓋所述透明導(dǎo)電薄膜的金屬薄膜，并通過(guò)一道光罩圖案化所述透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜，形成由透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜形成的柵極和由透明導(dǎo)電薄膜形成的陣列基板公共電極，相比于現(xiàn)有技術(shù)，透明的陣列基板公共電極，能夠提升像素開(kāi)口率，改善顯示效果，且柵極和陣列基板公共電極仍通過(guò)一道光罩制得，無(wú)需增加光罩?jǐn)?shù)量，制作成本較低。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板的制作方法及陣列基板。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫(huà)質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個(gè)人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺(tái)式計(jì)算機(jī)等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

現(xiàn)有市場(chǎng)上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線(xiàn)，通過(guò)通電與否來(lái)控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線(xiàn)折射出來(lái)產(chǎn)生畫(huà)面。

通常液晶顯示面板由彩膜基板(CF，Color Filter)、陣列基板(TFT，Thin FilmTransistor)、夾于彩膜基板與陣列基板之間的液晶(LC，Liquid Crystal) 及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括：前段陣列(Array)制程 (薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅(qū)動(dòng)IC與印刷電路板壓合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運(yùn)動(dòng)；中段Cell制程主要是在 TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅(qū)動(dòng)IC壓合與印刷電路板的整合，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)液晶分子轉(zhuǎn)動(dòng)，顯示圖像。

現(xiàn)有的陣列基板一般包括：襯底基板、設(shè)于襯底基板上的間隔排列的柵極和陣列基板公共電極(Array Com，Acom)、設(shè)于所述襯底基板、柵極和陣列基板公共電極上的柵極絕緣層、設(shè)于所述柵極上的柵極絕緣層上的有源層、設(shè)于所述有源層上且分別與所述有源層的兩端接觸的源極和漏極、設(shè)于所述柵極絕緣層、有源層、源極和漏極上的鈍化層、設(shè)于所述鈍化層上的且與所述漏極電性連接的像素電極，其中柵極和陣列基板公共電極位于同一膜層且均采用不透光的金屬材料制成，開(kāi)口率較低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板的制作方法，能夠提升像素開(kāi)口率，且不增加光罩?jǐn)?shù)量。

本發(fā)明的目的還在于提供一種陣列基板，能夠提升像素開(kāi)口率，改善顯示效果。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種陣列基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟S1、提供一襯底基板，在所述襯底基板上形成透明導(dǎo)電薄膜和覆蓋所述透明導(dǎo)電薄膜的金屬薄膜；

步驟S2、在所述金屬薄膜上覆蓋光阻薄膜；

步驟S3、對(duì)所述光阻薄膜進(jìn)行圖案化，除去除待形成柵極和陣列基板公共電極的區(qū)域以外的光阻薄膜，得到位于待形成柵極的區(qū)域上的第一光阻段及位于待形成陣列基板公共電極的區(qū)域上的第二光阻段，且所述第一光阻段的厚度大于第二光阻段；

步驟S4、以第一光阻段和第二光阻段為遮擋，對(duì)所述透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜進(jìn)行蝕刻，除去除待形成柵極和陣列基板公共電極的區(qū)域以外的透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜；

步驟S5、去除第二光阻段同時(shí)減薄第一光阻段，以剩余的第一光阻段為遮擋對(duì)金屬薄膜進(jìn)行蝕刻，去除待形成陣列基板公共電極的區(qū)域上金屬薄膜，得到陣列基板公共電極；

步驟S6、去除剩余的第一光阻段，得到柵極；