[發明專利]陣列基板的制作方法及陣列基板

在審

• 申請號: 201811320935.2
• 申請日: 2018-11-07
• 公開（公告）號: CN109616443A
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 朱茂霞;徐洪遠
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;王中華

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1、提供一襯底基板(1)，在所述襯底基板(1)上形成透明導電薄膜(101)和覆蓋所述透明導電薄膜(101)的金屬薄膜(102)；

步驟S2、在所述金屬薄膜(102)上覆蓋光阻薄膜(103)；

步驟S3、對所述光阻薄膜(103)進行圖案化，除去除待形成柵極和陣列基板公共電極(3)的區域以外的光阻薄膜(103)，得到位于待形成柵極的區域上的第一光阻段(104)及位于待形成陣列基板公共電極的區域上的第二光阻段(105)，且所述第一光阻段(104)的厚度大于第二光阻段(105)；

步驟S4、以第一光阻段(104)和第二光阻段(105)為遮擋，對所述透明導電薄膜(101)和金屬薄膜(102)進行蝕刻，除去除待形成柵極和陣列基板公共電極的區域以外的透明導電薄膜(101)和金屬薄膜(102)；

步驟S5、去除第二光阻段(105)同時減薄第一光阻段(104)，以剩余的第一光阻段(104)為遮擋對金屬薄膜(102)進行蝕刻，去除待形成陣列基板公共電極的區域上金屬薄膜(102)，得到陣列基板公共電極(3)；

步驟S6、去除剩余的第一光阻段(104)，得到柵極(2)；

步驟S7、在所述襯底基板(1)、柵極(2)及陣列基板公共電極(3)上形成柵極絕緣層(4)，在所述柵極(2)上的柵極絕緣層(4)上形成有源層(5)，在所述有源層(5)上形成分別位于所述有源層(5)的兩端的源極(6)和漏極(7)，在所述柵極絕緣層(4)、有源層(5)、源極(6)和漏極(7)上形成鈍化層(8)，并在所述鈍化層(8)上形成像素電極(9)。

2.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S3中通過一道半色調光罩或灰階光罩圖案化所述光阻薄膜(103)。

3.如權利要求1所述的的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S4中對所述透明導電薄膜(101)和金屬薄膜(102)進行蝕刻的過程包括：

進行第一次蝕刻，除去除待形成柵極和陣列基板公共電極(3)的區域以外的金屬薄膜(102)；

進行第二次蝕刻，除去除待形成柵極和陣列基板公共電極(3)的區域以外的透明導電薄膜(101)。

4.如權利要求3所述的的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一次蝕刻中，采用銅酸蝕刻所述金屬薄膜(102)；所述第二次蝕刻中，采用草酸蝕刻所述透明導電薄膜(101)。

5.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S5中采用雙氧水系銅酸蝕刻所述金屬薄膜(102)，以去除待形成陣列基板公共電極的區域上金屬薄膜(102)同時保留待形成陣列基板公共電極的區域上的透明導電薄膜(101)。

6.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S5中通過氧氣等離子工藝對所述第二光阻段(105)和第一光阻段(104)進行灰化，以去除第二光阻段(105)同時減薄第一光阻段(104)。

7.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S6采用光阻剝離液去除剩余的第一光阻段(104)。

8.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述透明導電薄膜(101)的材料為氧化銦錫。