[發明專利]一種功率電路模塊及電子裝置

有效

• 申請號: 201811319726.6
• 申請日: 2018-11-07
• 公開（公告）號: CN109638002B
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 徐非;何劍;莊圍瀚
• 申請（專利權）人: 華潤微電子（重慶）有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/495
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

本發明公開了一種功率電路模塊及電子裝置，包括晶體管芯片、封裝體及引腳框架，晶體管芯片設置有電極接觸區，晶體管芯片封裝在所述封裝體內，晶體管芯片設置在所述引腳框架上，所述引腳框架具有裸露在所述封裝體外的多個裸露區，且每個所述裸露區分別形成一個外部電極。本發明的功率電路模塊和電子裝置不僅能夠減少能耗、縮小封裝尺寸，還能增強散熱效果和載流能力。

技術領域

本發明涉及半導體封裝領域，尤其涉及一種功率電路模塊及電子裝置。

背景技術

在單相電與多相電轉換時，通常需要配備多個晶體管以搭建功率電路，每個晶體管具多個電極，搭建單向轉多相的功率電路時，需要實現這些電極中的部分電極相互連接，且需要實現這些電極的對外連接。目前，在單向轉多相的功率電路時，電極之間的連接以及電極與外界的連接都是通過線路連接等方式實現，比如：導線、鍵合線等，這些線路不僅占用的空間大，且這些線路會在交流直流轉換過程中損耗較多能量，當線路老化后，各線路之間還可能會相互干擾，也可能會引起其他故障。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的主要目的在于一種功率電路模塊及電子裝置，以減少封裝尺寸、降低能耗。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明技術方案如下：

一種功率電路模塊，包括：

若干晶體管芯片，所述晶體管芯片設置有電極接觸區；

一封裝體，所述晶體管芯片封裝在所述封裝體內；

引腳框架，所述晶體管芯片設置于所述引腳框架上；

其中，所述引腳框架具有裸露在所述封裝體外的多個裸露區，且每個所述裸露區分別形成一個外部電極。

可選的，所述封裝體上設置有外電極觸點，所述電極接觸區通過與所述外電極觸點連接或與所述引腳框架接觸形成外部電極。

可選的，所述外電極觸點包括無外引腳觸點及外引腳觸點中的任意一種或兩種。

可選的，所述晶體管芯片具有第一表面和第二表面，所述電極接觸區分布在所述第一表面和所述第二表面上，設置于所述第一表面的所述電極接觸區與所述引腳框架接觸形成外部電極。

可選的，設置于所述第二表面上的一所述電極接觸區與設置于所述第二表面的另一所述電極接觸區通過一第一連接件連接；

設置于所述第二表面上的一所述電極接觸區與設置于一所述外電極觸點通過一第二連接件連接；

設置于所述第一表面上的一所述電極接觸區與設置于所述第一表面的另一所述電極接觸區通過與同一個所述引腳框架接觸形成電連接。

所述第一連接件包括連接片。

可選的，所述第二連接件包括連接線或所述連接片中的一種或兩種。

可選的，設置于所述第一表面上的一所述電極接觸區與設置于所述第二表面的一所述電極接觸區通過一所述第一連接件和一所述引腳框架連接。

可選的，所述電極接觸區包括源極接觸區、漏極接觸區和柵極接觸區，與所述源極接觸區或所述漏極接觸區連接的所述第二連接件為連接片，與所述柵極接觸區連接的所述第二連接件為連接線。

可選的，所述柵極接觸區分布在所述第二表面上，所述源極接觸區和所述漏極接觸區中的一個所述電極接觸區布置在所述第一表面，另一個所述電極接觸區布置在所述第二表面。

可選的，所述晶體管芯片為同一種芯片，且同一個所述晶體管芯片上的所述柵極接觸區相較所述第二表面上的另一個電極接觸區更臨近外電極觸點，所述第二連接件分布在所述第一連接件的外圍。