[發明專利]一種功率電路模塊及電子裝置

有效

• 申請號: 201811319726.6
• 申請日: 2018-11-07
• 公開（公告）號: CN109638002B
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 徐非;何劍;莊圍瀚
• 申請（專利權）人: 華潤微電子（重慶）有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/495
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種功率電路模塊，其特征在于，包括：

若干晶體管芯片，所述晶體管芯片設置有電極接觸區，所述晶體管芯片為同一種芯片；

一封裝體，所述晶體管芯片封裝在所述封裝體內，所述封裝體上設置有外電極觸點；

引腳框架，所述晶體管芯片設置于所述引腳框架上，所述引腳框架包括第一引腳框架和多個第二引腳框架，所述第一引腳框架上設置有多個所述晶體管芯片，所述第二引腳框架上設置有單個所述晶體管芯片，所述第一引腳框架上的所述晶體管芯片數量與所述第二引腳框架的數量相等；

其中，所述引腳框架具有裸露在所述封裝體外的多個裸露區，且每個所述裸露區分別形成一個外部電極，所述功率電路模塊為單相轉換多相的功率電路模塊，所述晶體管芯片具有第一表面和第二表面，所述電極接觸區包括源極接觸區、漏極接觸區和柵極接觸區，所述漏極接觸區設置在所述第一表面上，并與所述引腳框架接觸形成外部電極，所述柵極接觸區和所述源極接觸區分布在所述第二表面上；

第一引腳框架上的每個晶體管芯片的源極接觸區與通過第一連接件與一個第二引腳框架對應連接，使得第一引腳框架上的裸露區形成整個功率電路模塊的輸入電極，每個第二引腳框架形成整個功率電路模塊的單向輸出電極，所述第一連接件為連接片；

設置于第二表面上的一所述柵極接觸區與一所述外電極觸點通過一第二連接件連接，所述第二連接件為連接線；

其中，同一個所述晶體管芯片上的所述柵極接觸區相較所述第二表面上的源極接觸區更臨近外電極觸點，所述第二連接件分布在所述第一連接件的外圍。

2.根據權利要求1所述的功率電路模塊，其特征在于：所述電極接觸區通過與所述外電極觸點連接或與所述引腳框架接觸形成外部電極。

3.根據權利要求1所述的功率電路模塊，其特征在于：所述外電極觸點包括無外引腳觸點及外引腳觸點中的任意一種或兩種。

4.根據權利要求1所述的功率電路模塊，其特征在于：所述連接片的寬度為0.8mm～2mm，所述連接片的厚度為0.1mm～0.2mm。

5.根據權利要求1所述的功率電路模塊，其特征在于：所述連接線的直徑為0.02mm～0.3mm。

6.根據權利要求1所述的功率電路模塊，其特征在于：所述第一連接件的材料包含銅、鋁、金、銀中的任意一種或多種，所述第二連接件的材料包含銅、鋁、金、銀中的任意一種或多種。

7.一種電子裝置，其特征在于：包括電路板及權利要求1～6中任意一項所述的功率電路模塊。