[發(fā)明專利]發(fā)光器件及其制備方法和掩膜版

在審

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• 申請日: 2018-11-07
• 公開（公告）號: CN111162189A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉新
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;C23C14/04
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 林青中

本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件及其制備方法和掩膜版，發(fā)光器件包括基板、底電極層、像素限定層、發(fā)光單元層和頂電極層，所述底電極層設(shè)于所述基板上，所述像素限定層設(shè)于所述基板上，且所述像素限定層圍繞所述底電極層形成像素坑，所述底電極層至少部分暴露于所述像素坑中，所述發(fā)光單元層設(shè)于所述像素坑內(nèi)且覆蓋于所述底電極層上，所述頂電極層設(shè)于所述發(fā)光單元層上，且所述頂電極層與每個所述像素坑對應(yīng)的區(qū)域形成至少兩個相互間隔的子電極區(qū)。如此可以在相同打印設(shè)備的打印精度下，增加子像素的數(shù)量，提高發(fā)光器件的分辨率，也可避免由于SiNx像素隔離柱的存在而造成邊緣堆積，確保了發(fā)光器件良好的發(fā)光效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種發(fā)光器件及其制備方法和掩膜版。

背景技術(shù)

有機電致發(fā)光器件(OLED)由于具有自發(fā)光、視角廣、對比度高和低功耗等優(yōu)點，被應(yīng)用于新一代手機屏幕、電腦顯示器、全彩電視等領(lǐng)域，受到行業(yè)的廣泛關(guān)注。一般來說，發(fā)光器件各膜層可以通過蒸鍍工藝和噴墨打印技術(shù)等方法制備。蒸鍍工藝即在真空腔體內(nèi)加熱有機小分子材料，使其氣化，通過金屬掩膜板在玻璃基板上形成OLED膜層，但由于真空蒸鍍設(shè)備昂貴，且無法制備大面積OLED器件，限制了OLED顯示器的大規(guī)模使用。而噴墨打印技術(shù)具有材料利用率高、不受金屬掩膜板尺寸限制等優(yōu)點，是實現(xiàn)低成本制備大尺寸OLED顯示器的關(guān)鍵技術(shù)。近年來，通過OLED材料的提升、打印工藝的改善以及器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，印刷OLED的性能也有了大幅提升。

但是，一般結(jié)構(gòu)的高分辨率發(fā)光器件在噴墨打印時，子像素成膜均勻性較差，這對發(fā)光效果造成了較大的影響。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種分辨率較高且噴墨打印成膜均勻性較好的發(fā)光器件。

一種發(fā)光器件，包括基板、底電極層、像素限定層、發(fā)光單元層和頂電極層，所述底電極層設(shè)于所述基板上，所述像素限定層設(shè)于所述基板上，且所述像素限定層圍繞所述底電極層形成像素坑，所述底電極層至少部分暴露于所述像素坑中，所述發(fā)光單元層設(shè)于所述像素坑內(nèi)且覆蓋于所述底電極層上，所述頂電極層設(shè)于所述發(fā)光單元層上，且所述頂電極層與每個所述像素坑對應(yīng)的區(qū)域形成至少兩個相互間隔的子電極區(qū)。

在其中一個實施例中，所述子電極區(qū)之間的間隔距離為20μm～50μm。

在其中一個實施例中，還包括遮光層，所述遮光層設(shè)于所述頂電極層上且覆蓋所述子電極區(qū)之間的間隙。

在其中一個實施例中，所述遮光層的阻抗大于10¹⁴Ω/cm，所述遮光層的光密度值大于3.9/μm，所述遮光層的厚度為0.5μm～2μm。

在其中一個實施例中，所述頂電極層與每個所述像素坑對應(yīng)的區(qū)域形成兩個相互間隔的子電極區(qū)。

在其中一個實施例中，所述頂電極層與每個所述像素坑對應(yīng)的區(qū)域形成四個相互間隔的子電極區(qū)。

在其中一個實施例中，所述發(fā)光單元層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。

在其中一個實施例中，所述像素限定層的厚度為0.5μm～2.5μm。

本發(fā)明還提供了一種發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：

在基板上形成底電極層；

在所述基板上形成像素限定層，所述像素限定層圍繞所述底電極層形成像素坑，所述底電極層至少部分暴露于所述像素坑中；

在所述像素坑內(nèi)的所述底電極層上形成發(fā)光單元層；

在所述發(fā)光單元層上形成頂電極層，且使所述頂電極層與每個所述像素坑對應(yīng)的區(qū)域形成至少兩個相互間隔的子電極區(qū)。