[發明專利]發光器件及其制備方法和掩膜版

在審

• 申請號: 201811319511.4
• 申請日: 2018-11-07
• 公開（公告）號: CN111162189A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 劉新
• 申請（專利權）人: 廣東聚華印刷顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;C23C14/04
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 林青中

1.一種發光器件，其特征在于，包括基板、底電極層、像素限定層、發光單元層和頂電極層，所述底電極層設于所述基板上，所述像素限定層設于所述基板上，且所述像素限定層圍繞所述底電極層形成像素坑，所述底電極層至少部分暴露于所述像素坑中，所述發光單元層設于所述像素坑內且覆蓋于所述底電極層上，所述頂電極層設于所述發光單元層上，且所述頂電極層與每個所述像素坑對應的區域形成至少兩個相互間隔的子電極區。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述子電極區之間的間隔距離為20μm～50μm。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，還包括遮光層，所述遮光層設于所述頂電極層上且覆蓋所述子電極區之間的間隙。

4.根據權利要求3所述的發光器件，其特征在于，所述遮光層的阻抗大于10¹⁴Ω/cm，所述遮光層的光密度值大于3.9/μm，所述遮光層的厚度為0.5μm～2μm。

5.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述頂電極層與每個所述像素坑對應的區域形成兩個相互間隔的子電極區。

6.根據權利要求5所述的發光器件，其特征在于，所述頂電極層與每個所述像素坑對應的區域形成四個相互間隔的子電極區。

7.根據權利要求1～6任一項所述的發光器件，其特征在于，所述發光單元層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層。

8.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述像素限定層的厚度為0.5μm～2.5μm。

9.一種發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在基板上形成底電極層；

在所述基板上形成像素限定層，所述像素限定層圍繞所述底電極層形成像素坑，所述底電極層至少部分暴露于所述像素坑中；

在所述像素坑內的所述底電極層上形成發光單元層；

在所述發光單元層上形成頂電極層，且使所述頂電極層與每個所述像素坑對應的區域形成至少兩個相互間隔的子電極區。

10.一種掩膜版，用于制備權利要求1～8任一項所述的發光器件的頂電極層，其特征在于，所述掩膜版包括掩膜版主體及遮擋部，所述掩膜版主體設有蒸鍍開口，所述遮擋部位于所述蒸鍍開口內，且所述遮擋部的正投影至少部分位于所述像素坑內，以用于蒸鍍時使所述頂電極層與每個所述像素坑對應的區域形成至少兩個相互間隔的子電極區。