[發(fā)明專利]發(fā)光器件及其制備方法和掩膜版

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811319511.4
• 申請日: 2018-11-07
• 公開（公告）號: CN111162189A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發(fā)明（設計）人: 劉新
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;C23C14/04
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 林青中

1.一種發(fā)光器件，其特征在于，包括基板、底電極層、像素限定層、發(fā)光單元層和頂電極層，所述底電極層設于所述基板上，所述像素限定層設于所述基板上，且所述像素限定層圍繞所述底電極層形成像素坑，所述底電極層至少部分暴露于所述像素坑中，所述發(fā)光單元層設于所述像素坑內(nèi)且覆蓋于所述底電極層上，所述頂電極層設于所述發(fā)光單元層上，且所述頂電極層與每個所述像素坑對應的區(qū)域形成至少兩個相互間隔的子電極區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述子電極區(qū)之間的間隔距離為20μm～50μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，還包括遮光層，所述遮光層設于所述頂電極層上且覆蓋所述子電極區(qū)之間的間隙。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述遮光層的阻抗大于10¹⁴Ω/cm，所述遮光層的光密度值大于3.9/μm，所述遮光層的厚度為0.5μm～2μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述頂電極層與每個所述像素坑對應的區(qū)域形成兩個相互間隔的子電極區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述頂電極層與每個所述像素坑對應的區(qū)域形成四個相互間隔的子電極區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6任一項所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光單元層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述像素限定層的厚度為0.5μm～2.5μm。

9.一種發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在基板上形成底電極層；

在所述基板上形成像素限定層，所述像素限定層圍繞所述底電極層形成像素坑，所述底電極層至少部分暴露于所述像素坑中；

在所述像素坑內(nèi)的所述底電極層上形成發(fā)光單元層；

在所述發(fā)光單元層上形成頂電極層，且使所述頂電極層與每個所述像素坑對應的區(qū)域形成至少兩個相互間隔的子電極區(qū)。

10.一種掩膜版，用于制備權(quán)利要求1～8任一項所述的發(fā)光器件的頂電極層，其特征在于，所述掩膜版包括掩膜版主體及遮擋部，所述掩膜版主體設有蒸鍍開口，所述遮擋部位于所述蒸鍍開口內(nèi)，且所述遮擋部的正投影至少部分位于所述像素坑內(nèi)，以用于蒸鍍時使所述頂電極層與每個所述像素坑對應的區(qū)域形成至少兩個相互間隔的子電極區(qū)。