[發(fā)明專利]基于外部電壓確定操作模式的存儲器裝置及其操作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811318563.X
• 申請日: 2018-11-07
• 公開（公告）號: CN110176263A
• 公開（公告）日: 2019-08-27
• 發(fā)明（設計）人: 許珍錫;文正旭;金基鎬;白真赫;玄錫勛
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C11/4096
• 分類號: G11C11/4096
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜

本公開涉及基于外部電壓確定操作模式的存儲器裝置以及操作該存儲器裝置的方法。該存儲器裝置包括：單元陣列，所述單元陣列包括多個存儲單元；模式選擇器，所述模式選擇器檢測外部提供的至少一個電壓信號的電平，并根據(jù)檢測所述至少一個電壓信號的所述電平的結果，選擇與多個標準對應的多個操作模式中的任何一個。所述存儲器裝置還包括模式控制器，所述模式控制器響應于來自所述模式選擇器的模式選擇信號，輸出設置信息，所述設置信息用于設置所述存儲器裝置來經(jīng)由根據(jù)所述多個標準中的選定標準的接口與存儲器控制器通信；以及校準電路，所述校準電路根據(jù)所述設置信息，生成用于控制所述存儲器裝置中的電路塊的控制碼。

相關申請的交叉引用

根據(jù)要求于2018年2月20日在韓國知識產(chǎn)權局提交的第10-2018-0020019號韓國專利申請的優(yōu)先權，其全部內(nèi)容通過引用并入本文。

技術領域

本發(fā)明構思涉及一種存儲器裝置，更具體地，涉及一種基于外部電壓來確定操作模式的存儲器裝置，以及操作這種存儲器裝置的方法。

背景技術

目前，在高性能電子系統(tǒng)中廣泛使用的半導體存儲器裝置的容量和速度正在增加。這種存儲器裝置的示例包括動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)，其是基于存儲在電容器中的電荷來確定數(shù)據(jù)的易失性存儲器。

存儲器裝置通常根據(jù)各種標準經(jīng)由接口與存儲器控制器進行通信。在存儲器裝置的加工和制造期間，用于與存儲器控制器通信的接口標準被確定，并且存儲器裝置被實現(xiàn)為根據(jù)所確定的標準使用接口來執(zhí)行通信。然而，根據(jù)各種類型的標準制造各種存儲器裝置的需求降低了生產(chǎn)效率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構思的實施例提供了一種存儲器裝置以及該存儲器裝置的操作方法，所述存儲器裝置能夠通過選擇與應用于系統(tǒng)的標準對應的操作模式來提高生產(chǎn)效率并且為所述存儲器裝置配置內(nèi)部電路塊以執(zhí)行根據(jù)選定標準的接口。

本發(fā)明構思的實施例提供了一種存儲器裝置，所述存儲器裝置包括：單元陣列，所述單元陣列包括多個存儲單元；模式選擇器，所述模式選擇器被配置為檢測外部提供的至少一個電壓信號的電平，并根據(jù)檢測所述至少一個電壓信號的所述電平的結果來選擇與多個標準對應的多個操作模式中的任何一個；模式控制器，所述模式控制器被配置為響應于來自所述模式選擇器的模式選擇信號，輸出設置信息，所述設置信息用于設置所述存儲器裝置來根據(jù)所述多個標準中的選定標準的接口與存儲器控制器進行通信；校準電路，所述校準電路被配置為根據(jù)所述設置信息，生成用于控制所述存儲器裝置中的電路塊的控制碼。

本發(fā)明構思的實施例還提供了一種存儲器裝置，所述存儲器裝置包括：存儲單元陣列，所述存儲單元陣列包括多個存儲單元；模式選擇器，所述模式選擇器被配置為檢測外部提供的至少一個電源電壓的電平，并根據(jù)檢測所述至少一個電源電壓的所述電平的結果，選擇低功率雙倍數(shù)據(jù)速率4標準模式或低功率雙倍數(shù)據(jù)速率4X標準模式中的一個作為用于與存儲器控制器進行接口的標準；模式控制器，所述模式控制器被配置為響應于來自所述模式選擇器的模式選擇信號，輸出與所選擇的標準模式對應的設置信息；以及校準電路，所述校準電路被配置為響應于來自所述模式控制器的所述設置信息，生成第一控制碼，所述第一控制碼用于將所述存儲器裝置的輸出數(shù)據(jù)的電壓電平調(diào)整到所述低功率雙倍數(shù)據(jù)速率4標準模式下的第一電平，并且將所述存儲器裝置的所述輸出數(shù)據(jù)的所述電壓電平調(diào)整到所述低功率雙倍數(shù)據(jù)速率4X標準模式下的與所述第一電平不同的第二電平。

本發(fā)明構思的實施例還提供了一種操作存儲器裝置的方法，所述存儲器裝置包括模式選擇器和校準電路，所述方法包括：在系統(tǒng)的初始操作期間，所述模式選擇器接收第一命令和一個或更多個電源電壓；響應于所述第一命令的接收，所述模式選擇器檢測所述一個或更多個電源電壓的電平；根據(jù)檢測所述電源電壓的結果，所述模式選擇器選擇與從多個標準中選擇的任何一個標準對應的操作模式；以及根據(jù)所選擇的操作模式，所述校準電路執(zhí)行校準操作，以調(diào)整所述存儲器裝置的輸出數(shù)據(jù)的電壓電平，并啟用/禁用片內(nèi)端接電路。

附圖說明