[發明專利]基于外部電壓確定操作模式的存儲器裝置及其操作方法在審
| 申請號: | 201811318563.X | 申請日: | 2018-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN110176263A | 公開(公告)日: | 2019-08-27 |
| 發明(設計)人: | 許珍錫;文正旭;金基鎬;白真赫;玄錫勛 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G11C11/4096 | 分類號: | G11C11/4096 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人: | 李娜 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲器裝置 模式選擇器 操作模式 模式控制器 單元陣列 電壓信號 設置信息 外部電壓 校準電路 存儲器控制器 模式選擇信號 輸出設置信息 存儲單元 外部提供 電路塊 控制碼 檢測 響應 通信 | ||
1.一種存儲器裝置,包括:
單元陣列,所述單元陣列包括多個存儲單元;
模式選擇器,所述模式選擇器被配置為檢測外部提供的至少一個電壓信號的電平,并且根據檢測所述至少一個電壓信號的所述電平的結果來選擇與多個標準對應的多個操作模式中的任何一個;
模式控制器,所述模式控制器被配置為響應于來自所述模式選擇器的模式選擇信號,輸出設置信息,所述設置信息用于設置所述存儲器裝置來經由根據所述多個標準中的選定標準的接口與存儲器控制器進行通信;以及
校準電路,所述校準電路被配置為根據所述設置信息,生成用于控制所述存儲器裝置中的電路塊的控制碼。
2.根據權利要求1所述的存儲器裝置,其中所述模式選擇器從外部電源管理集成電路接收第一電源電壓和第二電源電壓作為所述至少一個電壓信號,并且被配置為通過檢測所述第一電源電壓的電平和所述第二電源電壓的電平之間的差來生成所述模式選擇信號。
3.根據權利要求1所述的存儲器裝置,其中所述存儲器裝置經由根據低功率雙倍數據速率4標準或低功率雙倍數據速率4X標準的接口與所述存儲器控制器進行通信,
所述至少一個電壓信號包括在所述低功率雙倍數據速率4標準和所述低功率雙倍數據速率4X標準中定義的第一電源電壓和第二電源電壓,以及
所述模式選擇器被配置為基于檢測所述第一電源電壓的電平和所述第二電源電壓的電平之間的差的結果,選擇所述多個操作模式中的第一操作模式和所述多個操作模式中的第二操作模式中的一個,其中所述第一操作模式用于執行根據所述低功率雙倍數據速率4標準的接口,所述第二操作模式用于執行根據所述低功率雙倍數據速率4X標準的接口。
4.根據權利要求3所述的存儲器裝置,其中所述模式選擇器包括分壓器和比較器,
所述分壓器被配置為對所述第二電源電壓進行分壓,以及
所述比較器被配置為通過將所述第一電源電壓的所述電平與作為對所述第二電源電壓分壓的結果而生成的電壓電平進行比較,生成所述模式選擇信號。
5.根據權利要求1所述的存儲器裝置,其中所述電路塊包括用于將讀取數據輸出到所述存儲器控制器的輸出驅動器,以及
所述校準電路被配置為生成第一控制碼作為所述控制碼,所述第一控制碼用于當所述多個操作模式中的第一操作模式被設置時,響應于所述設置信息將所述讀取數據的電壓電平調整到第一電平,并且用于當所述多個操作模式中的第二操作模式被設置時,響應于所述設置信息將所述讀取數據的電壓電平調整到第二電平。
6.根據權利要求5所述的存儲器裝置,其中所述電路塊還包括片內端接電路,所述片內端接電路被配置為在數據寫操作期間提供端接電阻器,以及
所述校準電路被配置為:生成第二控制碼作為所述控制碼,所述第二控制碼用于當所述第一操作模式被設置時響應于所述設置信息啟用所述片內端接電路,并且用于當所述第二操作模式被設置時響應于所述設置信息禁用所述片內端接電路。
7.根據權利要求1所述的存儲器裝置,其中響應于由所述存儲器控制器提供的校準命令,所述模式選擇器被配置為在執行校準操作之前生成所述模式選擇信號。
8.根據權利要求7所述的存儲器裝置,其中所述模式選擇器被配置為:選擇性地在由所述存儲器控制器提供的所述校準命令對應于初始校準命令時,生成所述模式選擇信號。
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