[發明專利]用于晶圓干燥裝置的推梢以及晶圓干燥裝置在審
| 申請號： | 201811317525.2 | 申請日： | 2018-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN109360799A | 公開（公告）日： | 2019-02-19 |
| 發明（設計）人： | 張大偉 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓 推梢 干燥裝置 凹陷部 晶圓表面 滑落 種晶 柱形 平行 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于晶圓干燥裝置的推梢，其特征在于，所述推梢為柱形，頂部具有凹陷部，用于放置晶圓；當晶圓放置于所述推梢頂部時，所述晶圓表面與凹陷部的長度方向平行，晶圓的部分邊緣位于所述凹陷部內。
2.根據權利要求1所述的推梢，其特征在于，所述凹陷部的底部為弧形，所述弧形的曲率半徑與所述晶圓的半徑相同。
3.根據權利要求1所述的推梢，其特征在于，所述凹陷部的頂部寬度大于底部寬度。
4.根據權利要求3所述的推梢，其特征在于，所述凹陷部具有側壁傾斜。
5.根據權利要求4所述的推梢，其特征在于，所述凹陷部的側壁的傾斜角度為15°～60°。
6.根據權利要求4所述的推梢，其特征在于，所述凹陷部在垂直于長度方向上的橫截面為V字形。
7.根據權利要求1所述的推梢，其特征在于，所述凹陷部在垂直于長度方向上的橫截面為U字形。
8.一種晶圓干燥裝置，其特征在于，包括：
如權利要求1至7中任一項所述的推梢。
9.根據權利要求8所述的晶圓干燥裝置，其特征在于，所述推梢連接至一驅動單元，能夠在所述驅動單元的驅動下，在所述晶圓干燥裝置的頂部和底部之間移動。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
