[發明專利]阻氣膜、氣體阻隔性薄膜、有機電致發光元件和電子紙以及氣體阻隔性薄膜的制造方法

有效

• 申請號: 201811317375.5
• 申請日: 2018-11-07
• 公開（公告）號: CN109778149B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 慈幸范洋;磯村良幸;沖本忠雄
• 申請（專利權）人: 株式會社神戶制鋼所
• 主分類號: C23C16/515
• 分類號: C23C16/515;C23C16/503;C23C16/30;C23C16/54;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳克鵬

提供一種對于水蒸汽的阻隔性能提高的阻氣膜、氣體阻隔性薄膜和該氣體阻隔性薄膜的制造方法。本發明的一個方式的阻氣膜，至少含有氧、硅和碳，在由衰減全反射法得到的光譜中，處于3400cm^－1附近由O－H鍵引起的峰值的強度相對于處于1000cm^－1附近由Si－O鍵引起的峰值強度的比為0.019以下。本發明的另一方式的氣體阻隔性薄膜，具備基材、和層疊在該基材的一側的面上的上述阻氣膜。本發明再一方式的氣體阻隔性薄膜的制造方法，具備如下工序：使用配置在真空室內、且具備一對成膜輥和氣體供給部的成膜裝置，將基材卷繞到上述一對成膜輥上的工序；通過等離子體化學氣相沉積法使上述阻氣膜層疊在上述基材上的工序。

技術領域

本發明涉及阻氣膜、氣體阻隔性薄膜、有機電致發光元件和電子紙以及氣體阻隔性薄膜的制造方法。

背景技術

已知有例如在由樹脂等形成且具有撓性的薄板狀的柔性基材的表面上層疊有阻氣膜、氮化硅等的金屬化合物的薄膜層的薄膜被作為氣體阻隔性薄膜。作為以該金屬化合物層疊膜為氣體阻隔性薄膜而使用的例子，例如，可列舉用于有機電致發光元件、電子紙、有機薄膜太陽能電池和液晶顯示器等的光學調節膜、醫藥品等的包裝容器用材料等。

作為在柔性基材的表面上形成金屬化合物的薄膜層的方法，已知有真空蒸鍍法等的物理氣相沉積法(PVD：Physical Vapor Deposition)，等離子體化學氣相沉積法等的化學氣相沉積法(CVD：Chemical Vapor Deposition)等。

作為由CVD形成氣體阻隔性薄膜的制造方法，提出有通過在規定的條件下制造碳原子的量，從而能夠成為抗折曲性優異的氣體阻隔性薄膜的氣體阻隔性薄膜的制造方法(日本特開2017－53036號公報)。但是，不限于CVD，在現有的方法中，由于阻氣膜中的化學鍵狀態，有可能導致其對于水蒸汽的阻隔性能不充分。為了將氣體阻隔性薄膜利用于有機電致發光元件、電子紙等，希望提高阻氣膜對于水蒸汽的阻隔性能。

【現有技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開2017－53036號公報

發明內容

鑒于上述問題，本發明提供一種對于水蒸汽的阻隔性能得到提高的阻氣膜、氣體阻隔性薄膜、和該氣體阻隔性薄膜的制造方法。

為了解決上述課題而做的本發明的一個方式的阻氣膜，至少含有氧、硅和碳，在由衰減全反射法的光譜中，處于3400cm^－1附近的由O－H鍵引起的峰值的強度相對于處于1000cm^－1附近的由Si－O鍵所引起的峰值強度的比為0.019以下。

如果處于3400cm^－1附近的由O－H鍵引起的峰值的強度的比在0.019以下，則該阻氣膜中的OH基的量被充分減少，因此能夠提高對于水蒸汽的阻隔性。

上述阻氣膜的厚度為100nm以上且3000nm以下即可。通過阻氣膜的厚度為100nm以上且3000nm以下，由此能夠確保阻隔性，同時能夠抑制氣體阻隔性薄膜的翹曲。

上述阻氣膜可以還含有氫。上述阻氣膜進一步含有氫，由此能夠提高對于彎曲的耐受性(柔性)。

上述阻氣膜中的氬在檢測極限以下即可。氬原子在膜中侵入到晶格間，擴展晶格間距，使壓縮應力發生，有可能使基材變形。通過減少上述阻氣膜中的氬，能夠成為成膜穩定性優異的阻氣膜。

上述阻氣膜以等離子體化學氣相沉積法形成即可。等離子體化學氣相沉積法與濺射法等相比，由于成膜氣體的環繞優異，所以所形成的阻氣膜對基材的被覆性優異。因此，上述阻氣膜由等離子體化學氣相沉積法形成，能夠容易達成覆蓋(表面被覆性)優異。