[發明專利]阻氣膜、氣體阻隔性薄膜、有機電致發光元件和電子紙以及氣體阻隔性薄膜的制造方法

有效

• 申請號: 201811317375.5
• 申請日: 2018-11-07
• 公開（公告）號: CN109778149B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 慈幸范洋;磯村良幸;沖本忠雄
• 申請（專利權）人: 株式會社神戶制鋼所
• 主分類號: C23C16/515
• 分類號: C23C16/515;C23C16/503;C23C16/30;C23C16/54;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳克鵬

1.一種阻氣膜，其中，至少含有氧、硅和碳，在由衰減全反射法得到的光譜中，處于3400±500cm^－1的范圍的由O－H鍵引起的峰值的強度相對于處于1000±100cm^－1的范圍的由Si－O鍵引起的峰值強度的比為0.019以下。

2.根據權利要求1所述的阻氣膜，其中，厚度為100nm以上且3000nm以下。

3.根據權利要求1或權利要求2所述的阻氣膜，其中，還含有氫。

4.根據權利要求1或權利要求2所述的阻氣膜，其中，氬在檢測極限以下。

5.根據權利要求1或權利要求2所述的阻氣膜，其中，由等離子體化學氣相沉積法形成。

6.根據權利要求5所述的阻氣膜，其中，成膜氣體中包含甲硅烷。

7.根據權利要求5所述的阻氣膜，其中，成膜氣體中包含有機系硅化合物。

8.一種氣體阻隔性薄膜，是具備基材、和層疊在上述基材的一側的面上的權利要求1或權利要求2所述的阻氣膜的氣體阻隔性薄膜，其中，上述基材是以聚酯或聚烯烴為主成分的柔性基材。

9.根據權利要求8所述的氣體阻隔性薄膜，其中，上述聚酯是聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯。

10.一種有機電致發光元件，其具備權利要求8所述的氣體阻隔性薄膜。

11.一種電子紙，其具備權利要求8所述的氣體阻隔性薄膜。

12.一種氣體阻隔性薄膜的制造方法，是使用具備真空室、配置在上述真空室內且與交流電源連接而成的一對成膜輥、和向上述真空室內供給成膜氣體的氣體供給部的成膜裝置來制造氣體阻隔性薄膜的方法，其中，上述氣體阻隔性薄膜具有基材；和至少含有氧、硅、碳的阻氣膜，上述阻氣膜在由衰減全反射法得到的光譜中，處于3400±500cm^－1的范圍的由O－H鍵引起的峰值的強度相對于處于1000±100cm^－1的范圍的由Si－O鍵引起的峰值強度的比為0.019以下，

所述制造方法具備：

將上述基材卷繞在上述一對成膜輥上的工序；

在上述卷繞工序后，利用等離子體化學氣相沉積法使上述阻氣膜層疊在上述基材上的工序。

13.根據權利要求12所述的氣體阻隔性薄膜的制造方法，其中，上述層疊工序通過在上述一對成膜輥間利用放電使等離子體發生而進行。

14.根據權利要求13所述的氣體阻隔性薄膜的制造方法，其中，上述放電通過使上述一對成膜輥的電位的極性交替顛倒而進行。

15.根據權利要求13或權利要求14所述的氣體阻隔性薄膜的制造方法，其中，上述層疊工序利用上述一對成膜輥的內部所包含的磁場發生機構，在上述一對成膜輥的表面上形成磁場來進行。

16.根據權利要求13或權利要求14所述的氣體阻隔性薄膜的制造方法，其中，上述一對成膜輥的電位相對于上述真空室的電位以時間平均計為負。

17.根據權利要求16所述的氣體阻隔性薄膜的制造方法，其中，上述一對成膜輥的電位對于上述真空室的電位的時間平均之差以絕對值計為450V以上。

18.根據權利要求12或權利要求13所述的氣體阻隔性薄膜的制造方法，其中，上述成膜氣體含有六甲基二硅氧烷和氧。