[發明專利]半導體器件和制作方法

有效

• 申請號: 201811314954.4
• 申請日: 2018-11-06
• 公開（公告）號: CN111141804B
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發明（設計）人: 尚海平;曹治;王英輝;王瑋冰
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G01N27/414
• 分類號: G01N27/414
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 韓建偉;謝湘寧

1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：

襯底；

第一絕緣層，位于所述襯底的表面上；

電極層，位于上述第一絕緣層的遠離所述襯底的表面上；

第二絕緣層，位于所述電極層的遠離所述第一絕緣層的表面上，所述第二絕緣層具有間隔設置的多個通孔，各所述通孔使得所述電極層的部分表面裸露，所述第二絕緣層的材料和/或所述第一絕緣層的材料包括非晶碳化硅，

所述半導體器件還包括：

粘附層，位于所述第一絕緣層和所述電極層之間，所述粘附層包括具有黏性且導電的材料，

所述第二絕緣層的材料和所述第一絕緣層的材料包括非晶碳化硅；

所述第一絕緣層的厚度大于或等于所述第二絕緣層的厚度小于所述通孔的平行于第一平面的截面的最大寬度，所述第一平面與所述第二絕緣層的厚度方向垂直。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，多個所述通孔等間隔設置。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，所述第一絕緣層的遠離所述襯底的表面包括中心區域和外圍區域，所述外圍區域圍設在所述中心區域的外側，所述電極層位于在所述中心區域上，所述第二絕緣層還位于所述外圍區域上。

4.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

步驟S1，提供襯底；

步驟S2，在所述襯底上設置第一絕緣層；

步驟S3，在所述第一絕緣層的遠離所述襯底的表面上至少設置電極層；

步驟S4，在所述電極層的裸露表面上以及所述第一絕緣層的裸露表面上設置第二絕緣材料，形成第二預絕緣層，所述第二預絕緣層的材料和/或所述第一絕緣層的材料包括非晶碳化硅；

步驟S5，對所述第二預絕緣層進行刻蝕，形成具有多個間隔的通孔的第二絕緣層，各所述通孔使得所述電極層的部分表面裸露，裸露表面對應的部分所述電極層為一個所述電極，

所述第一絕緣層的遠離所述襯底的表面包括中心區域和外圍區域，所述步驟S3包括：

步驟S31，在所述外圍區域上設置第一光刻膠部；

步驟S33，在所述中心區域和所述第一光刻膠部的裸露表面上設置電極材料；

步驟S34，去除所述第一光刻膠部以及所述第一光刻膠部表面上的所述電極材料，剩下的位于所述中心區域的所述電極材料形成電極層，

在所述步驟S31和所述步驟S33之間，所述步驟S3還包括：

步驟S32，在所述中心區域和所述第一光刻膠部的裸露表面上設置粘附材料，所述粘附材料為導電的材料，

所述步驟S33中，所述電極材料設置在所述粘附材料的裸露表面上，所述步驟S34中，還去除所述第一光刻膠部以及所述第一光刻膠部表面上的所述粘附材料，剩下的位于所述中心區域的所述粘附材料形成粘附層，

所述第二絕緣層的材料和所述第一絕緣層的材料包括非晶碳化硅；

所述第一絕緣層的厚度大于或等于所述第二絕緣層的厚度小于所述通孔的平行于第一平面的截面的最大寬度，所述第一平面與所述第二絕緣層的厚度方向垂直。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，多個所述通孔等間隔設置。