[發明專利]基板處理裝置、基板處理方法以及存儲介質

有效

• 申請號: 201811314848.6
• 申請日: 2018-11-06
• 公開（公告）號: CN109768001B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發明（設計）人: 清瀬浩巳
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/677
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明提供一種基板處理裝置、基板處理方法以及存儲介質。基板處理裝置具備：至少一個液膜形成部，其在基板形成干燥防止用的液體的液膜；至少一個干燥處理部，其使形成有液膜的基板干燥；以及搬送機構，其從液膜形成部取出形成有液膜的基板，搬送到干燥處理部。通過搬送時間調節操作或者初始液膜厚度調節操作，使得在干燥處理部中開始干燥處理時存在于基板上的液膜的厚度處于目標范圍內，其中，所述搬送時間調節操作是調節利用搬送機構將形成有液膜的基板從液膜形成部搬送到干燥處理部的搬送時間來調節構成存在于基板上的液膜的液體在基板的搬送中的揮發量的操作，所述初始液膜厚度調節操作是調節通過液膜形成部在基板上形成的液膜的厚度的操作。

技術領域

本發明涉及一種在對半導體晶圓等基板進行超臨界干燥處理等干燥處理時，用于將被搬入到進行干燥處理的干燥處理部時的基板的表面所存在的保護液的液膜的厚度維持在適當的范圍內的技術。

背景技術

在半導體裝置的制造中，對半導體晶圓等基板進行藥液清洗或濕蝕刻等液處理。伴隨形成于基板表面的圖案的微細化和高深寬比化，在將殘留于基板的表面的液體去除的干燥工序中，更容易產生圖案的倒塌。為了應對該問題，近年來逐漸采用使用超臨界狀態的處理流體(例如超臨界CO₂)的干燥方法(例如參照專利文獻1)。

液處理和超臨界干燥處理在相分別的處理單元中被執行。在以下示出處理流程的一例。首先，在液處理單元內依次進行藥液處理、純水沖洗處理以及保護液替換處理。作為保護液，例如使用IPA(異丙醇)。接著，在基板的整個表面形成有保護液的液膜(槳片)的狀態下，將基板從液處理單元搬送到超臨界干燥處理單元，在超臨界干燥處理單元內對基板實施超臨界干燥處理。

在從在液處理單元內在基板形成保護液的液膜起至在超臨界干燥處理單元內將保護液替換為超臨界流體為止的期間，當基板的表面的圖案的凹部內所存在的保護液的液膜由于揮發而消失時，存在發生圖案的倒塌的風險。因此，需要通過液處理單元形成能保證在上述期間中不發生液膜的消失的厚度的保護液的液膜。另一方面，如果形成過厚的液膜，則在超臨界干燥處理后，基板的表面的微粒水平劣化。

因而，需要將要形成于基板的表面的保護液的液膜的厚度設定在適當的范圍內。本發明的發明人當運用收容有多個液處理單元和多個超臨界干燥處理單元的基板處理裝置后明確可知存在如下問題：難以將在超臨界干燥處理單元內開始向基板供給超臨界流體的時間點的保護液的液膜的厚度維持在適當的范圍內。

專利文獻1：日本特開2013-012538號公報

發明內容

發明要解決的問題

本發明的目的在于提供一種能夠將被搬入到干燥處理部時的基板的表面所存在的保護液的液膜的厚度維持在適當的范圍內的技術。

用于解決問題的方案

根據本發明的一個實施方式，提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置具備：至少一個液膜形成部，其在基板的表面形成保護液的液膜；至少一個干燥處理部，其收容形成有所述液膜的所述基板，并使所述基板干燥；搬送機構，其從所述液膜形成部取出形成有所述液膜的所述基板，搬送到所述干燥處理部；以及控制部，其通過搬送時間調節操作或者初始液膜厚度調節操作，使得在所述干燥處理部中開始干燥處理時存在于所述基板的表面的液膜的厚度處于目標范圍內，其中，所述搬送時間調節操作是調節利用所述搬送機構將所述基板從所述液膜形成部搬送到所述干燥處理部的搬送時間來調節構成存在于所述基板上的所述液膜的液體在所述基板的搬送中的揮發量的操作，所述初始液膜厚度調節操作是調節通過所述液膜形成部在所述基板上形成的所述液膜的厚度的操作。