[發明專利]基板處理裝置、基板處理方法以及存儲介質有效
| 申請號: | 201811314848.6 | 申請日: | 2018-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN109768001B | 公開(公告)日: | 2023-10-17 |
| 發明(設計)人: | 清瀬浩巳 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 以及 存儲 介質 | ||
1.一種基板處理裝置,具備:
至少一個液膜形成部,其在基板的表面形成保護液的液膜;
至少一個干燥處理部,其收容形成有所述液膜的所述基板,并使所述基板干燥;
搬送機構,其從所述液膜形成部取出形成有所述液膜的所述基板,搬送到所述干燥處理部;以及
控制部,其通過搬送時間調節操作或者初始液膜厚度調節操作,使得在所述干燥處理部中開始干燥處理時存在于所述基板的表面的液膜的厚度處于目標范圍內,其中,所述搬送時間調節操作是調節利用所述搬送機構將所述基板從所述液膜形成部搬送到所述干燥處理部的搬送時間來調節構成存在于所述基板的表面的所述液膜的液體在所述基板的搬送中的揮發量的操作,所述初始液膜厚度調節操作是調節通過所述液膜形成部在所述基板的表面形成的所述液膜的厚度的操作。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
設置有多個所述液膜形成部,并且設置有多個所述干燥處理部,
所述搬送機構從自多個所述液膜形成部選擇出的一個液膜形成部向自多個所述干燥處理部選擇出的一個干燥處理部搬送所述基板,
所述控制部根據在利用所述搬送機構從選擇出的所述一個液膜形成部向選擇出的所述一個干燥處理部搬送所述基板時所述基板所通過的搬送路徑的環境,來執行所述搬送時間調節操作或所述初始液膜厚度調節操作。
3.根據權利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
還具備殼體,所述殼體收容多個所述液膜形成部、多個所述干燥處理部以及所述搬送機構,在所述殼體的內部設置有搬送空間,在所述搬送空間收容所述搬送機構并且利用所述搬送機構在多個所述液膜形成部與多個所述干燥處理部之間進行所述基板的搬送,在所述殼體設置有氣流形成單元,所述氣流形成單元向所述搬送空間內吹出氣體來在所述搬送空間內形成氣流,
所述控制部根據在利用所述搬送機構從選擇出的所述一個液膜形成部向選擇出的所述一個干燥處理部搬送所述基板時所述氣流形成單元在所述基板所通過的搬送路徑形成的氣流的流速,來執行所述搬送時間調節操作或所述初始液膜厚度調節操作。
4.根據權利要求3所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述控制部以所述基板所通過的搬送路徑內的所述氣流的流速越低則使所述搬送時間越長的方式進行所述搬送時間調節操作。
5.根據權利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述氣流形成單元設置于所述殼體的上部,所述控制部在執行所述搬送時間調節操作時,在所述搬送時間內設定以比通常搬送速度低的搬送速度搬送所述基板的低速運轉時間,使經由越下側的搬送路徑搬送基板時的所述低速運轉時間越長。
6.根據權利要求3所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述控制部以所述基板所通過的搬送路徑內的所述氣流的流速越高則使所述初始液膜厚度越厚的方式進行所述初始液膜厚度調節操作。
7.一種基板處理方法,在基板處理裝置中執行所述基板處理方法,所述基板處理裝置具備:至少一個液膜形成部,其在基板的表面形成保護液的液膜;至少一個干燥處理部,其收容形成有所述液膜的所述基板,并使所述基板干燥;以及搬送機構,其從所述液膜形成部取出形成有所述液膜的所述基板,搬送到所述干燥處理部,所述基板處理方法包括:
通過所述液膜形成部在所述基板的表面形成所述保護液的液膜;
利用所述搬送機構將所述基板從所述液膜形成部搬送到所述干燥處理部;
通過所述干燥處理部使所述基板干燥;
通過搬送時間調節操作或者初始液膜厚度調節操作,使得在所述干燥處理部中開始干燥處理時存在于所述基板的表面的液膜的厚度處于目標范圍內,所述搬送時間調節操作是調節利用所述搬送機構將所述基板從所述液膜形成部搬送到所述干燥處理部的搬送時間來調節構成存在于所述基板的表面的所述液膜的液體在所述基板的搬送中的揮發量的操作,所述初始液膜厚度調節操作是調節通過所述液膜形成部在所述基板的表面形成的所述液膜的厚度的操作。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東京毅力科創株式會社,未經東京毅力科創株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811314848.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:晶片清洗裝置
- 下一篇:用于制造或分析半導體晶圓的裝置、操作方法及系統
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





