[發明專利]一種用于產生高密度等離子體的裝置

在審

• 申請號: 201811314805.8
• 申請日: 2018-11-06
• 公開（公告）號: CN109518167A
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 鄒威;其他發明人請求不公開姓名
• 申請（專利權）人: 長沙創恒機械設備有限公司
• 主分類號: C23C16/50
• 分類號: C23C16/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明提出一種用于產生高密度等離子體的裝置，所述裝置包括：等離子體發生室，其內設置有等離子體源；襯底處理室，與所述等離子體原成軸向關系；第一線圈，圍繞所述等離子體發生室的一部分；第二線圈，圍繞所述第一線圈的一部分，且所述第一線圈與所述第二線圈共面；固定件，用于將所述第一線圈和所述第二線圈保持在相對彼此固定的位置，以防止所述第一線圈和所述第二線圈相對運動；電路組件，用于調節所述第一線圈和所述第二線圈中的相對電流量。采用本發明的方法有利地在襯底處理室中形成磁場能夠實現對等離子體均勻處理，從而實現對襯底均勻的處理。

技術領域

本發明涉及氣相沉積技術領域，尤其涉及一種用于產生高密度等離子體的裝置。

背景技術

等離子體化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應氣體，利用等離子體放電，使反應氣體激活并實現化學氣相沉積的技術。PCVD與傳統CVD技術的區別在于等離子體含有大量的高能量電子，這些電子可以提供化學氣相沉積過程中所需要的激活能，從而改變了反應體系的能量供給方式。由于等離子體中的電子溫度高達10000K，電子與氣相分子的碰撞可以促進反應氣體分子的化學鍵斷裂和重新組合，生成活性更高的化學基團，同時整個反應體系卻保持較低的溫度。

現有的等離子體化學氣相沉積中，等離子體的均勻度難以得到控制，等離子體源產生的等離子體的輻射范圍較大，聚集不均勻。

鑒于上述原因，有必要提出一種能夠產生高密度等離子體以及能實現等離子體均勻分布的裝置。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種用于產生高密度等離子體的裝置，旨在提供一種能夠產生高密度等離子體并且能夠使等離子體分布趨于均勻的裝置。

為實現上述目的，本發明提供的一種所述裝置包括：

等離子體發生室，其內設置有等離子體源；

襯底處理室，與所述等離子體原成軸向關系；

第一線圈，圍繞所述等離子體發生室的一部分；

第二線圈，圍繞所述第一線圈的一部分，且所述第一線圈與所述第二線圈共面；

固定件，用于將所述第一線圈和所述第二線圈保持在相對彼此固定的位置，以防止所述第一線圈和所述第二線圈相對運動；

電路組件，用于調節所述第一線圈和所述第二線圈中的相對電流量。

優選地，還包括基板處理室，其內設置有基板，所述處理室還具有頂部，所述第一線圈和所述第二線圈布置在垂直于所述等離子體源以及基板處理室的平面上。

優選地，所述基板處理室包括頂板，所述頂板包括用于將氣體供給到所述處理室中的氣管和出料孔。

優選地，所述出料孔從所述基板處理室的內表面延伸至所述氣管。

優選地，所述電路組件包括用于在所述第一線圈中產生的第一方向的電流和在所述第二線圈中產生與所述第一方向相反的第二方向的電流的結構。

優選地，所述第一線圈和所述第二線圈具有公共軸線，并且所述第一線圈沿所述軸線的高度基本等于所述第二線圈沿所述軸線的高度。

本發明用于產生高密度等離子體的裝置，所述裝置包括：等離子體發生室，其內設置有等離子體源；襯底處理室，與所述等離子體原成軸向關系；第一線圈，圍繞所述等離子體發生室的一部分；第二線圈，圍繞所述第一線圈的一部分，且所述第一線圈與所述第二線圈共面；固定件，用于將所述第一線圈和所述第二線圈保持在相對彼此固定的位置，以防止所述第一線圈和所述第二線圈相對運動；電路組件，用于調節所述第一線圈和所述第二線圈中的相對電流量。采用本發明的方法有利地在襯底處理室中形成磁場，能夠實現對等離子體均勻處理，從而實現對襯底均勻的處理。