[發明專利]一種用于產生高密度等離子體的裝置在審
| 申請號: | 201811314805.8 | 申請日: | 2018-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN109518167A | 公開(公告)日: | 2019-03-26 |
| 發明(設計)人: | 鄒威;其他發明人請求不公開姓名 | 申請(專利權)人: | 長沙創恒機械設備有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/50 | 分類號: | C23C16/50 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 410000 湖南省長沙市長沙經濟技術*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子體 等離子體發生室 高密度等離子體 襯底處理室 等離子體源 電路組件 均勻處理 電流量 固定的 固定件 襯底 軸向 磁場 | ||
1.一種用于產生高密度等離子體的裝置,其特征在于,所述裝置包括:
等離子體發生室,其內設置有等離子體源;
襯底處理室,與所述等離子體源成軸向關系;
第一線圈,圍繞所述等離子體發生室的一部分;
第二線圈,圍繞所述第一線圈的一部分,且所述第一線圈與所述第二線圈共面;
固定件,用于將所述第一線圈和所述第二線圈保持在相對彼此固定的位置,以防止所述第一線圈和所述第二線圈相對運動;
電路組件,用于調節所述第一線圈和所述第二線圈中的相對電流量。
2.根據權利要求1所述的用于產生高密度等離子體的裝置,其特征在于,還包括基板處理室,其內設置有基板,所述處理室還具有頂部,所述第一線圈和所述第二線圈布置在垂直于所述等離子體源以及基板處理室的平面上。
3.根據權利要求2所述的用于產生高密度等離子體的裝置,其特征在于,所述基板處理室包括頂板,所述頂板包括用于將氣體供給到所述處理室中的氣管和出料孔。
4.根據權利要求3所述的用于產生高密度等離子體的裝置,其特征在于,所述出料孔從所述基板處理室的內表面延伸至所述氣管。
5.根據權利要求1所述的用于產生高密度等離子體的裝置,其特征在于,所述電路組件包括用于在所述第一線圈中產生的第一方向的電流和在所述第二線圈中產生與所述第一方向相反的第二方向的電流的結構。
6.根據權利要求1所述的用于產生高密度等離子體的裝置,其特征在于,所述第一線圈和所述第二線圈具有公共軸線,并且所述第一線圈沿所述軸線的高度基本等于所述第二線圈沿所述軸線的高度。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





