[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811314087.4 | 申請(qǐng)日： | 2018-11-06 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN109786222A | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-05-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李雨青;方玉標(biāo) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/027 | 分類號(hào)： | H01L21/027;H01L23/544 |
| 代理公司： | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 黃艷 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光子晶體 掩模 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 第一層 光刻 基底 第二區(qū)域 第一區(qū)域 光照射 反射 穿透 制造 檢測(cè) 分析 | ||
本公開(kāi)實(shí)施例提供制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。此方法提供一基底。根據(jù)第一層掩模執(zhí)行第一光刻，以在基底上方的一層的第一區(qū)域上形成具有第一間距的多個(gè)第一光子晶體。根據(jù)第二層掩模執(zhí)行第二光刻，以在該層的第二區(qū)域上形成具有第二間距的多個(gè)第二光子晶體。提供光照射第一光子晶體和第二光子晶體。接收由第一光子晶體和第二光子晶體所反射或是穿透過(guò)第一光子晶體和第二光子晶體的光。分析所接收的光，以檢測(cè)對(duì)應(yīng)于第一層掩模的第一光子晶體和對(duì)應(yīng)于第二層掩模的第二光子晶體之間的重疊位移。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)有關(guān)于一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，且特別有關(guān)于一種制造具有測(cè)量目標(biāo)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù)
一般而言，半導(dǎo)體集成電路(integrated circuit，IC)形成在半導(dǎo)體基底(或半導(dǎo)體芯片)的多個(gè)層上。為了適當(dāng)?shù)刂圃彀雽?dǎo)體集成電路，基底的一些層需要彼此對(duì)準(zhǔn)。在這種情況下，可在半導(dǎo)體基底中形成測(cè)量目標(biāo)(metrology target)(或是對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記)來(lái)執(zhí)行重疊(或?qū)?zhǔn))測(cè)量。
傳統(tǒng)的測(cè)量目標(biāo)可包括多個(gè)光柵，以及可根據(jù)光柵的安排來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體基底的不同層之間的重疊位移(overlay-shift)。
盡管現(xiàn)有的測(cè)量目標(biāo)通常已經(jīng)足夠用于其預(yù)期目的，但在所有方面都不是完全令人滿意的。因此，需要新的測(cè)量目標(biāo)來(lái)提供重疊位移測(cè)量、關(guān)鍵尺寸(criticaldimensions，CD)和焦點(diǎn)深度(depth of focus，DoF)的解決方案。
發(fā)明內(nèi)容
本公開(kāi)提供一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。此方法包括提供一基底。根據(jù)第一層掩模執(zhí)行第一光刻，以在基底上方的一層的第一區(qū)域上形成具有第一間距的多個(gè)第一光子晶體。根據(jù)第二層掩模執(zhí)行第二光刻，以在該層的第二區(qū)域上形成具有第二間距的多個(gè)第二光子晶體。提供光照射第一光子晶體和第二光子晶體。接收由第一光子晶體和第二光子晶體所反射或是穿透過(guò)第一光子晶體和第二光子晶體的光。分析所接收的光，以檢測(cè)對(duì)應(yīng)于第一層掩模的第一光子晶體和對(duì)應(yīng)于第二層掩模的第二光子晶體之間的重疊位移。
附圖說(shuō)明
圖1是顯示根據(jù)本公開(kāi)一些實(shí)施例所述的重疊位移測(cè)量系統(tǒng)的示意方框圖；
圖2是顯示根據(jù)本公開(kāi)一些實(shí)施例所述的測(cè)量目標(biāo)的上視圖；
圖3A是顯示根據(jù)本公開(kāi)一些實(shí)施例所述的圖2中沿著測(cè)量目標(biāo)的線A-AA的剖面圖；
圖3B是顯示根據(jù)本公開(kāi)一些實(shí)施例所述的圖2中測(cè)量目標(biāo)的立體圖；
圖4是顯示根據(jù)本公開(kāi)一些實(shí)施例所述的圖2中測(cè)量目標(biāo)的輸入光、反射光與透射光；
圖5A是顯示圖4的輸入光的光譜；
圖5B是顯示圖4的反射光的光譜；
圖5C是顯示圖4的透射光的光譜；
圖6A-圖6G是顯示根據(jù)本公開(kāi)一些實(shí)施例所述的形成圖3A中測(cè)量目標(biāo)的不同階段的剖面圖；
圖7A-圖7E是顯示根據(jù)本公開(kāi)一些實(shí)施例所述的形成圖3A中測(cè)量目標(biāo)的不同階段的剖面圖；
圖8A是顯示具有重疊位移的測(cè)量目標(biāo)的輸入光、反射光和透射光的示意圖；
圖8B是顯示圖8A的反射光的光譜；
圖8C是顯示圖8A的透射光的光譜；
圖9A是顯示具有重疊位移的測(cè)量目標(biāo)的輸入光、反射光和透射光的示意圖；
圖9B是顯示圖9A的反射光的光譜；
圖9C是顯示圖9A的透射光的光譜；
圖10是顯示具有重疊位移的測(cè)量目標(biāo)的輸入光、反射光和透射光的示意圖；
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司，未經(jīng)臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811314087.4/2.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：于基板上制造結(jié)構(gòu)的方法
- 下一篇：間隙填充方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
