[發明專利]制造半導體結構的方法在審
| 申請號： | 201811314087.4 | 申請日： | 2018-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN109786222A | 公開（公告）日： | 2019-05-21 |
| 發明（設計）人： | 李雨青;方玉標 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027;H01L23/544 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光子晶體 掩模 半導體結構 第一層 光刻 基底 第二區域 第一區域 光照射 反射 穿透 制造 檢測 分析 | ||
【權利要求書】：
1.一種制造半導體結構的方法，包括：
提供一基底；
根據一第一層掩模，執行一第一光刻，以在上述基底上方的一層的一第一區域上形成具有一第一間距的多個第一光子晶體；
根據一第二層掩模，執行依第二光刻，以在上述層的一第二區域上形成具有一第二間距的多個第二光子晶體；
提供光以照射上述第一光子晶體和上述第二光子晶體；
接收由上述第一光子晶體和上述第二光子晶體所反射或是穿透過上述第一光子晶體和上述第二光子晶體的光；以及
分析所接收的光，以檢測對應于上述第一層掩模的上述第一光子晶體和對應于上述第二層掩模的上述第二光子晶體之間的一重疊位移。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
