[發(fā)明專利]一種電磁屏蔽膜的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811313412.5 | 申請(qǐng)日: | 2018-11-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109743872A | 公開(公告)日: | 2019-05-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張文杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 睿惢思工業(yè)科技(蘇州)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05K9/00 | 分類號(hào): | H05K9/00 |
| 代理公司: | 北京權(quán)智天下知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 王新愛 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電磁屏蔽膜 導(dǎo)電網(wǎng)柵 暗化 制備 透明基底表面 化學(xué)反應(yīng) 網(wǎng)格狀凹槽 導(dǎo)電銀漿 氣體氛圍 均勻度 批量化 良率 固化 填充 制作 | ||
本發(fā)明公開了一種電磁屏蔽膜的制備方法,包括在透明基底表面制作網(wǎng)格狀凹槽,并將導(dǎo)電銀漿填充凹槽內(nèi)固化形成導(dǎo)電網(wǎng)柵;利用氣體與導(dǎo)電網(wǎng)柵表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成暗化層。通過上述方式,本發(fā)明不僅降低了電磁屏蔽膜表面的可見度,而且只需將電磁屏蔽膜置于氣體氛圍中就可完成暗化,均勻度高,外觀良率高,且工藝簡(jiǎn)單,適合批量化。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電磁屏蔽膜領(lǐng)域,特別是涉及一種電磁屏蔽膜的制備方法。
背景技術(shù)
隨著電子工業(yè)的發(fā)展和電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用,電磁波輻射被認(rèn)為是繼水污染、噪音污染、空氣污染后的第四大公害。高頻電磁波不僅會(huì)導(dǎo)致電子器件的非正常運(yùn)轉(zhuǎn),影響甚至破壞軍事設(shè)備的敏感器件,因而威脅到國家的軍事機(jī)密,而且還能影響到人們的正常生活,例如可能誘發(fā)某些疾病,如睡眠不足、頭暈、心血管疾病等。因此,電磁屏蔽材料的研究開發(fā)一直備受各國學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的廣泛關(guān)注。
現(xiàn)有電磁屏蔽分別存在以下幾個(gè)問題:一,使用ITO透明薄膜,銦元素比較稀缺,價(jià)格昂貴,原材料成本太高;二,ITO薄膜比較脆,柔韌性較差,在彎曲60度以上就會(huì)斷裂破損;三,金屬或者合金多層(比如Ag,NiCr等)雖然導(dǎo)電性好,但是透過率低,而且沉積過程比較慢,真空工藝復(fù)雜,導(dǎo)致生產(chǎn)成本高;四,透明度比較低,而且不能夠任意調(diào)節(jié)。
中國發(fā)明專利CN201010533228.9,一種透明導(dǎo)電膜及其制作方法,描述了一種基于納米壓印和納米涂布的方法實(shí)現(xiàn)的透明導(dǎo)電膜,通過納米壓印形成溝槽,在溝槽中填充納米導(dǎo)電材料,再燒結(jié)使導(dǎo)電材料中的金屬顆粒聚集形成導(dǎo)電網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)。該方案為了使導(dǎo)電性能最佳,可采用納米銀漿低溫?zé)Y(jié)形成網(wǎng)柵結(jié)構(gòu),但導(dǎo)電銀呈黃色,光反射嚴(yán)重影響視覺外觀,并且裸露于空氣久會(huì)產(chǎn)生色變。
中國發(fā)明專利CN104571676A描述了一種網(wǎng)柵暗化的方法,通過在網(wǎng)柵上面添加碳黑、四氧化三鐵或氧化銅等降低導(dǎo)電層的可見度。但在涂覆暗化層時(shí)易出現(xiàn)不均勻或劃傷等不良現(xiàn)象,并且工藝步驟多,影響生產(chǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種電磁屏蔽膜的制備方法,能夠簡(jiǎn)單方便可批量化制備電磁屏蔽膜,且電磁屏蔽膜良率高。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種電磁屏蔽膜的制備方法,包括以下步驟:在透明基底表面制作凹槽結(jié)構(gòu)層,凹槽結(jié)構(gòu)層上分布有網(wǎng)格狀凹槽;將導(dǎo)電銀漿填充在網(wǎng)格狀凹槽內(nèi)固化形成導(dǎo)電網(wǎng)柵;利用氣體與導(dǎo)電網(wǎng)柵表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成暗化層。
進(jìn)一步,所述導(dǎo)電網(wǎng)柵的線寬度1~20um,厚度1~20um。
進(jìn)一步,所述網(wǎng)格狀凹槽通過壓印制得。
進(jìn)一步,所述氣體為氧氣與硫化氫混合物。
進(jìn)一步,所述網(wǎng)格狀凹槽的圖形為六邊形、菱形或無規(guī)則形。
本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明不僅降低了電磁屏蔽膜表面的可見度,而且只需將電磁屏蔽膜置于氣體氛圍中就可完成暗化,均勻度高,外觀良率高,且工藝簡(jiǎn)單,適合批量化。
附圖說明
圖1是本發(fā)明一種電磁屏蔽膜的制備方法的流程;
圖2是所示一種電磁屏蔽膜的制備方法制得的電磁屏蔽膜的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖中各部件的標(biāo)記如下:1、基底;2、凹槽結(jié)構(gòu)層;3、導(dǎo)電網(wǎng)柵;4、暗化層。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述,以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解,從而對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。
請(qǐng)參閱圖1和圖2,本發(fā)明實(shí)施例包括:
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