[發明專利]HIT電池及其金屬柵線印刷方法

在審

• 申請號: 201811311794.8
• 申請日: 2018-11-05
• 公開（公告）號: CN109585573A
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 何成鵬;徐江;杜建偉
• 申請（專利權）人: 武漢三工智能裝備制造有限公司
• 主分類號: H01L31/02
• 分類號: H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/20
• 代理公司: 深圳市港灣知識產權代理有限公司 44258
• 代理人: 微嘉

本發明公開一種HIT電池及其金屬柵線印刷方法，其中，所述HIT電池包括兩層導電薄膜及兩層金屬柵線，兩層所述導電薄膜呈相對設置，兩個所述導電薄膜相互遠離的端面為形成面，兩個所述導電薄膜的形成面上均形成有印刷區域，其中，至少一所述導電薄膜的印刷區域內至少部分設有多個凹槽，兩層所述金屬柵線分別印刷形成至兩個所述導電薄膜的印刷區域。增加了設有凹槽處的印刷區域的粗糙程度，在印刷成形所述金屬柵線時，提高了導電薄膜與金屬柵線的結合強度，同時，增大了導電薄膜與金屬柵線的接觸面積，減小了接觸電阻，降低HIT電池內阻消耗，提高HIT電池效率。

技術領域

本發明涉及HIT電池技術領域，特別涉及一種HIT電池及其金屬柵線印刷方法。

背景技術

晶硅異質結電池英文縮寫HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)，意為本征薄膜異質結，同時又被稱為HJT或SHJ(Silicon Heterojunction solar cell)，本文以下稱為HIT電池，其特點是再發射極和背面高濃度摻雜層與基片之間添加了一層本征非晶硅層，是單結晶硅和非晶型硅的混合太陽電池。HIT電池具有制備工藝溫度低、轉換效率高、高溫特性好等特點，是一種低價高效電池，HIT電池的轉化效率高，意味著它更加具有可與傳統的硅晶太陽能電池相匹敵的優勢，但目前由于部分生產工藝不成熟和成本原因并未得到廣泛應用。

HIT電池的生產工藝總共分為四個步驟：制絨清洗、非晶硅薄膜沉積、TCO制備、電極制備，其中，電極制備是在電池表層的透明導電膜TCO表面通過絲網印刷出金屬柵線，印刷材料為銀漿，因為HIT電池采用低溫生產工藝，并且沉積產生的透明導電膜TCO表面光滑，在金屬電極制備中TCO膜和柵線結合強度較低。

現有技術中，為了增加導電膜TCO與柵線之間的結合強度，普遍在生產中采用了有別于常規電池所用的高粘度銀漿，但高粘度漿料連續印刷存在穩定性的問題，漿料粘度大導致的虛印斷柵現象較多，導致金屬柵線成型質量較差。

發明內容

本發明的主要目的是提出一種HIT電池及其金屬柵線印刷方法，旨在增加導電薄膜與金屬柵線之間的結合強度。

為實現上述目的，本發明提出的HIT電池，包括：

兩層導電薄膜，兩層所述導電薄膜呈相對設置，兩層所述導電薄膜相互遠離的端面為形成面，兩層所述導電薄膜的形成面上均形成有印刷區域，其中，至少一所述導電薄膜的印刷區域內至少部分設有多個凹槽；以及，

兩層金屬柵線，分別印刷形成至兩層所述導電薄膜的印刷區域。

優選地，所述導電薄膜的厚度為H1，所述凹槽的平均深度為H2，且0＜H2/H1≤0.8。

優選地，0.5≤H2/H1≤0.7。

優選地，所述導電薄膜的材質為氧化鋅、二氧化錫、氧化銦、二氧化鈦、錫酸鎘、錫酸鋅中的一種。

優選地，還包括：

單晶硅片；

兩層本征非晶硅層，分別形成于所述單晶硅片的兩個端面上；

P型非晶硅層，形成于其中之一所述本征非晶硅層的端面上，且所述P型非晶硅層的端面上形成有一所述導電薄膜；以及，

N型非晶硅層，形成于另一所述本征非晶硅層的端面上，且所述N型非晶硅層的端面上形成有另一所述導電薄膜。

本發明還提供一種HIT電池金屬柵線印刷方法，包括以下步驟：

在HIT電池的非晶硅層上形成導電薄膜；

處理所述導電薄膜，以使所述導電薄膜的印刷區域至少部分形成凹槽；

將金屬柵線印刷至所述印刷區域。