[發明專利]HIT電池及其金屬柵線印刷方法在審
| 申請號： | 201811311794.8 | 申請日： | 2018-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN109585573A | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發明（設計）人： | 何成鵬;徐江;杜建偉 | 申請（專利權）人： | 武漢三工智能裝備制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/02 | 分類號： | H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/20 |
| 代理公司： | 深圳市港灣知識產權代理有限公司 44258 | 代理人： | 微嘉 |
| 地址： | 430000 湖北省武漢市東湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 導電薄膜 金屬柵線 印刷區域 兩層 印刷 電池 電池內阻 電池效率 接觸電阻 相對設置 凹槽處 形成面 成形 減小 粗糙 消耗 | ||
1.一種HIT電池，其特征在于，包括：
兩層導電薄膜，兩層所述導電薄膜呈相對設置，兩層所述導電薄膜相互遠離的端面為形成面，兩層所述導電薄膜的形成面上均形成有印刷區域，其中，至少一所述導電薄膜的印刷區域內至少部分設有多個凹槽；以及，
兩層金屬柵線，分別印刷形成至兩層所述導電薄膜的印刷區域。
2.如權利要求1所述的HIT電池，其特征在于，所述導電薄膜的厚度為H1，所述凹槽的平均深度為H2，且0＜H2/H1≤0.8。
3.如權利要求2所述的HIT電池，其特征在于，0.5≤H2/H1≤0.7。
4.如權利要求1所述的HIT電池，其特征在于，所述導電薄膜的材質為氧化鋅、二氧化錫、氧化銦、二氧化鈦、錫酸鎘、錫酸鋅中的一種。
5.如權利要求1所述的HIT電池，其特征在于，還包括：
單晶硅片；
兩層本征非晶硅層，分別形成于所述單晶硅片的兩個端面上；
P型非晶硅層，形成于其中之一所述本征非晶硅層的端面上，且所述P型非晶硅層的端面上形成有一所述導電薄膜；以及，
N型非晶硅層，形成于另一所述本征非晶硅層的端面上，且所述N型非晶硅層的端面上形成有另一所述導電薄膜。
6.一種HIT電池金屬柵線印刷方法，其特征在于，包括以下步驟：
在HIT電池的非晶硅層上形成導電薄膜；
處理所述導電薄膜，以使所述導電薄膜的印刷區域至少部分形成凹槽；
將金屬柵線印刷至所述印刷區域。
7.如權利要求6所述的HIT電池金屬柵線印刷方法，其特征在于，所述處理所述導電薄膜，以使所述導電薄膜的印刷區域至少部分形成凹槽的步驟中：
處理所述導電薄膜的方式為激光加工、機械加工、化學處理中的一種。
8.如權利要求7所述的HIT電池金屬柵線印刷方法，其特征在于，處理所述導電薄膜的方式為激光加工，所述激光加工過程中采用的是飛秒激光器。
9.如權利要求6所述的HIT電池金屬柵線印刷方法，其特征在于，所述在HIT電池的非晶硅層上形成導電薄膜的步驟包括：
在單晶硅片的兩個相對端面上分別形成兩層本征非晶硅層；
在其中之一所述本征非晶硅層上形成P型非晶硅層；
在另一所述本征非晶硅層上形成N型非晶硅層；
在所述P型非晶硅層及所述N型非晶硅層分別上形成導電薄膜。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢三工智能裝備制造有限公司，未經武漢三工智能裝備制造有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811311794.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：半導體器件及其制造方法
- 下一篇：一種調節GaSb納米線探測器響應波長的方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
