[發明專利]蒸鍍用金屬掩模基材及其制造方法、蒸鍍用金屬掩模及其制造方法

有效

• 申請號: 201811311762.8
• 申請日: 2016-07-15
• 公開（公告）號: CN109440060B
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 田村純香;新納干大;藤戶大生;西辻清明;西剛廣;三上菜穗子
• 申請（專利權）人: 凸版印刷株式會社
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/24;H01L51/56;C25D1/10;C23F1/02
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 戚宏梅

蒸鍍用金屬掩模基材(10)包括具備表面以及與上述表面相反側的面即背面的含鎳金屬片(11)，上述表面以及上述背面的至少一方為抗蝕劑層所位于的對象面，上述對象面的表面粗糙度Sa為0.019μm以下，并且，上述對象面的表面粗糙度Sz為0.308μm以下。

技術領域

本發明涉及蒸鍍用金屬掩模基材、蒸鍍用金屬掩模、蒸鍍用金屬掩模基材的制造方法以及蒸鍍用金屬掩模的制造方法。

背景技術

作為使用蒸鍍法制造的顯示器件之一，已知有機EL顯示器。有機EL顯示器具備的有機層，是在蒸鍍工序中升華的有機分子的堆積物。蒸鍍工序中使用的蒸鍍用金屬掩模所具備的掩模孔，是使升華的有機分子朝向基板通過的通路。掩模孔所具有的開口具有與有機EL顯示器所具備的像素的形狀相對應的形狀(例如，參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2015-055007號公報

發明內容

發明要解決的課題

然而，制造蒸鍍用金屬掩模的方法包括對蒸鍍用金屬掩模基材形成開口的工序。在形成開口的工序中，例如進行使用了光刻法的抗蝕劑掩模的形成、以及使用了抗蝕劑掩模的濕式蝕刻。此時，在抗蝕劑掩模的形成中，位于蒸鍍用金屬掩模基材的表面上的抗蝕劑層中的曝光對象區域被曝光。并且，照射至抗蝕劑層的光的至少一部分在蒸鍍用金屬掩模基材的表面散射，所散射的光的一部分向抗蝕劑層中的曝光對象區域以外的部分照射。結果，在抗蝕劑層采用負型的抗蝕劑材料的情況下，由于光的散射而形成成有成為抗蝕劑材料的殘渣的部分，此外，在抗蝕劑層采用正型的抗蝕劑材料的情況下，會形成抗蝕劑掩模的殘缺。并且，導致實際形成的抗蝕劑掩模的構造與設計的抗蝕劑掩模的構造之間的差異增大，由此，有可能導致通過濕式蝕刻法形成的開口的構造與設計的開口的構造之間的差異增大。

本發明的目的在于提供能夠提高蒸鍍用金屬掩模所具有的開口的構造精度的蒸鍍用金屬掩模基材、蒸鍍用金屬掩模、蒸鍍用金屬掩模基材的制造方法以及蒸鍍用金屬掩模的制造方法。

用于解決課題的手段

用于解決上述課題的蒸鍍用金屬掩模基材，包括具有表面以及與上述表面相反側的面即背面的含鎳金屬片，上述表面以及上述背面的至少一方是抗蝕劑層所位于的對象面，上述對象面的表面粗糙度Sa為0.019μm以下，并且，上述對象面的表面粗糙度Sz為0.308μm以下。在該蒸鍍用金屬掩模基材中也可以為，入射到上述對象面的光的鏡面反射的反射率為53.0％以上97.0％以下。此外，在該蒸鍍用金屬掩模基材中也可以為，上述含鎳金屬片為因瓦合金片。

用于解決上述課題的蒸鍍用金屬掩模基材包括具有表面以及與上述表面相反側的面即背面的含鎳金屬片，上述表面以及上述背面的至少一方是抗蝕劑層所位于的對象面，入射到上述對象面的光的鏡面反射的反射率為53.0％以上97.0％以下。

用于解決上述課題的蒸鍍用金屬掩模基材的制造方法包括如下步驟：通過電解而在電極面上形成含鎳金屬片；以及從上述電極面分離上述含鎳金屬片。并且，上述含鎳金屬片具備表面以及與上述表面相反側的面即背面，上述表面以及上述背面的至少一方是抗蝕劑層所位于的對象面，上述電解使上述對象面的表面粗糙度Sa成為0.019μm以下，并且，使上述對象面的表面粗糙度Sz成為0.308μm以下。

用于解決上述課題的蒸鍍用金屬掩模基材的制造方法包括如下步驟：通過電解而在電極面上形成含鎳金屬片；以及，從上述電極面分離上述含鎳金屬片。并且，上述含鎳金屬片具備表面以及與上述表面相反側的面即背面，上述表面以及上述背面的至少一方是抗蝕劑層所位于的對象面，上述電解使入射到上述對象面的光的鏡面反射的反射率成為53.0％以上97.0％以下。