[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201811311350.4
• 申請日: 2018-11-06
• 公開（公告）號: CN109841673A
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: 李鐘漢;金完敦;宋在烈;任廷爀;丁炯碩
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 陳宇;尹淑梅

公開了半導體裝置及其制造方法。半導體裝置包括：柵電極，位于基底上；上覆蓋圖案，位于柵電極上；以及下覆蓋圖案，位于柵電極與上覆蓋圖案之間。下覆蓋圖案包括：第一部分，位于柵電極與上覆蓋圖案之間；以及多個第二部分，從第一部分延伸到上覆蓋圖案的對應的側表面上。上覆蓋圖案覆蓋第二部分中的每個的最頂表面。

本申請要求于2017年11月29日在韓國知識產權局提交的第10-2017-016937號韓國專利申請的權益，該韓國專利申請的全部內容通過引用包含于此。

技術領域

本公開涉及半導體裝置，更具體地，涉及包括場效應晶體管的半導體裝置及其制造方法。

背景技術

半導體裝置包括由金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)構成的集成電路。隨著半導體裝置的尺寸和設計規則逐漸減小，MOSFET的尺寸也逐漸縮小。MOSFET的縮小會使半導體裝置的操作特性劣化。因此，正在開展各種研究來制造具有優異性能同時克服由于半導體裝置的集成引起的限制的半導體裝置。

發明內容

一些實施例提供了具有改善電特性的半導體裝置及其制造方法。

一些實施例提供了半導體裝置及其制造方法，其中，所述方法保持了工藝余量。

根據示例性實施例，本公開針對一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：柵電極，位于基底上；上覆蓋圖案，位于柵電極上；以及下覆蓋圖案，位于柵電極與上覆蓋圖案之間，其中，下覆蓋圖案包括：第一部分，位于柵電極與上覆蓋圖案之間；以及多個第二部分，從第一部分延伸到上覆蓋圖案的對應的側表面上，其中，上覆蓋圖案覆蓋第二部分中的每個的最頂表面。

根據示例性實施例，本公開針對一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：柵電極，位于基底上；上覆蓋圖案，位于柵電極上；下覆蓋圖案，位于柵電極與上覆蓋圖案之間；以及層間介電層，位于基底上并覆蓋柵電極、上覆蓋圖案和下覆蓋圖案，其中，上覆蓋圖案的頂表面在豎直方向上相對于基底與層間介電層的頂表面位于同一高度處，其中，下覆蓋圖案的最頂表面在豎直方向上相對于基底位于比層間介電層的頂表面的高度低的高度處。

根據示例性實施例，本公開針對一種制造半導體裝置的方法，所述方法包括：在基底上形成犧牲柵極圖案和覆蓋犧牲柵極圖案的層間介電層；去除犧牲柵極圖案以在層間介電層中形成間隙；在間隙中形成柵電極；在層間介電層上形成覆蓋間隙的內表面和柵電極的頂表面的下覆蓋層；在間隙中形成覆蓋下覆蓋層的一部分的掩模圖案；去除下覆蓋層的其它部分以在間隙中形成下覆蓋圖案，其中，下覆蓋層的其它部分未被掩模圖案覆蓋；以及形成填充間隙的剩余部分的上覆蓋圖案。

附圖說明

圖1示出了示出根據示例性實施例的半導體裝置的平面圖。

圖2示出了沿圖1的線I-I'、線II-II'和線III-III'截取的剖視圖。

圖3示出了示出圖1的柵極結構的透視圖。

圖4至圖10示出了沿圖1的線I-I'、線II-II'和線III-III'截取的剖視圖，所述剖視圖示出了根據示例性實施例的制造半導體裝置的方法。

圖11示出了沿圖1的線I-I'、線II-II'和線III-III'截取的剖視圖，所述剖視圖示出了根據示例性實施例的半導體裝置。

圖12和圖13示出了沿圖1的線I-I'、線II-II'和線III-III'截取的剖視圖，所述剖視圖示出了根據示例性實施例的制造半導體裝置的方法。

圖14示出了沿圖1的線I-I'、線II-II'和線III-III'截取的剖視圖，所述剖視圖示出了根據示例性實施例的半導體裝置。

圖15示出了沿圖1的線I-I'、線II-II'和線III-III'截取的剖視圖，所述剖視圖示出了根據示例性實施例的制造半導體裝置的方法。