[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201811311350.4
• 申請日: 2018-11-06
• 公開（公告）號: CN109841673A
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: 李鐘漢;金完敦;宋在烈;任廷爀;丁炯碩
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 陳宇;尹淑梅

1.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

柵電極，位于基底上；

上覆蓋圖案，位于柵電極上；以及

下覆蓋圖案，位于柵電極與上覆蓋圖案之間，

其中，下覆蓋圖案包括：

第一部分，位于柵電極與上覆蓋圖案之間；以及

多個第二部分，從第一部分延伸到上覆蓋圖案的對應的側表面上，

其中，上覆蓋圖案覆蓋第二部分中的每個的最頂表面。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，上覆蓋圖案的至少一部分填充下覆蓋圖案的第二部分之間的空間。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，下覆蓋圖案的第二部分中的每個的最頂表面在豎直方向上相對于基底位于比上覆蓋圖案的頂表面的高度低的高度處。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括：

層間介電層，位于基底上并覆蓋柵電極、下覆蓋圖案和上覆蓋圖案，

其中，上覆蓋圖案的頂表面與層間介電層的頂表面共面，并且

其中，下覆蓋圖案的第二部分中的每個的最頂表面在豎直方向上相對于基底位于比層間介電層的頂表面的高度低的高度處。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述上覆蓋圖案包括：

主體，具有第一寬度；以及

突起，具有比第一寬度小的第二寬度，突起從主體朝向基底延伸，

其中，突起置于下覆蓋圖案的第二部分之間，并且

其中，主體覆蓋第二部分中的每個的最頂表面。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括：

多個接觸件，在柵電極的相對側上電連接到基底，

其中，柵電極、下覆蓋圖案和上覆蓋圖案構成柵極結構，

其中，柵極結構包括：

第一區，其相對側設置有接觸件；以及

第二區，其相對側設置為不具有接觸件，并且

其中，上覆蓋圖案的主體在柵極結構的第一區處與接觸件接觸。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括：

多個柵極間隔件，位于柵電極的對應的側表面上，

其中，在柵極結構的第二區處，下覆蓋圖案的第二部分中的每個置于上覆蓋圖案的突起與柵極間隔件中的對應的柵極間隔件之間，并且

其中，上覆蓋圖案的主體與柵極間隔件接觸。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括：

多個柵極間隔件，位于柵電極的對應的側表面上；以及

層間介電層，位于基底上并覆蓋柵電極、下覆蓋圖案、上覆蓋圖案、多個接觸件和多個柵極間隔件，

其中，上覆蓋圖案跨過下覆蓋圖案與柵極間隔件間隔開，并且

其中，下覆蓋圖案的第二部分中的每個和上覆蓋圖案的主體在柵極結構的第二區處與層間介電層接觸。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，柵極間隔件中的每個的最頂表面與下覆蓋圖案接觸。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，柵電極是第一柵電極，

其中，上覆蓋圖案和下覆蓋圖案在第一柵電極上構成多層覆蓋圖案，

其中，半導體裝置還包括：

第二柵電極，位于基底上；以及

附加覆蓋圖案，位于第二柵電極上，

其中，附加覆蓋圖案具有與多層覆蓋圖案的結構不同的結構，并且

其中，與第一柵電極疊置的第一溝道區在水平方向上的第一溝道長度小于與第二柵電極疊置的第二溝道區在水平方向上的第二溝道長度。