[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201811311113.8
• 申請日: 2018-11-06
• 公開（公告）號: CN109904161A
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發明（設計）人: 李峭蒑;金錫勛;梁裕信;李承勛;崔珉姬
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜

公開了一種半導體器件，該半導體器件包括：襯底，該襯底包括從襯底的頂表面垂直地突出的第一有源圖案；以及填充形成在第一有源圖案的上部上的第一凹部的第一源極/漏極圖案。該第一源極/漏極圖案包括第一半導體圖案和位于第一半導體圖案上的第二半導體圖案。第一半導體圖案具有第一面、第二面和當第一面和第二面彼此會合時限定的第一角邊緣。該第二半導體圖案覆蓋第一半導體圖案的第一面和第二面并暴露第一角邊緣。

相關申請的交叉引用

本申請要求2017年12月7日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2017-0167673的優先權，該韓國專利申請的全部內容通過引用的方式結合于本申請中。

技術領域

本公開涉及半導體器件，更具體地，涉及包括場效應晶體管的半導體器件。

背景技術

半導體器件由于其小尺寸、多功能和/或低制造成本而在電子工業中益處較多。半導體器件可以包括存儲邏輯數據的半導體存儲器件、處理邏輯數據操作的半導體邏輯器件以及同時具有存儲器和邏輯元件的混合半導體器件。隨著電子工業的先進發展，對半導體器件的高度集成要求越來越高。例如，越來越多地要求半導體器件具有高可靠性、高速度和/或多功能性。為了滿足這些要求的特性，半導體器件逐漸變得復雜和集成化。

發明內容

本文公開的實施例提供了一種具有增強的電特性和提高的集成度的半導體器件。

根據示例性實施例，半導體器件可以包括：襯底，所述襯底包括從所述襯底的頂表面豎直地突出的第一有源圖案；以及第一源極/漏極圖案，所述第一源極/漏極圖案填充形成在所述第一有源圖案的上部上的第一凹部。所述第一源極/漏極圖案可以包括：第一半導體圖案；以及位于所述第一半導體圖案上的第二半導體圖案。所述第一半導體圖案可以具有第一面、第二面和所述第一面和所述第二面彼此會合處限定的第一角邊緣。所述第二半導體圖案可以覆蓋所述第一半導體圖案的第一面和第二面并暴露所述第一角邊緣。

根據示例性實施例，半導體器件可以包括：襯底，所述襯底包括從所述襯底的頂表面豎直地突出的第一有源圖案；以及第一源極/漏極圖案，所述第一源極/漏極圖案填充形成在所述第一有源圖案的上部上的第一凹部。所述第一源極/漏極圖案可以具有垂直于所述襯底的頂表面的第一面。所述第一源極/漏極圖案可以包括第一半導體圖案和位于所述第一半導體圖案上的第二半導體圖案。所述第一半導體圖案可以包括沿遠離所述第一源極/漏極圖案的中心的方向水平地突出并位于所述第二半導體圖案的兩個部分之間的第一角邊緣。所述第一半導體圖案的第一角邊緣可以位于所述第一源極/漏極圖案的第一面。

根據示例性實施例，半導體器件可以包括位于襯底上的存儲單元。所述存儲單元可以包括：第一存取晶體管和第二存取晶體管；第一上拉晶體管和第二上拉晶體管；以及第一下拉晶體管和第二下拉晶體管。所述第一上拉晶體管的第一源極/漏極圖案可以在第一方向上與所述第一下拉晶體管的第二源極/漏極圖案間隔開。所述第一源極/漏極圖案可以具有面向所述第二源極/漏極圖案的第一面。所述第一源極/漏極圖案的第一面可以垂直于所述襯底的頂表面。

附圖說明

圖1圖示了示出根據示例性實施例的半導體器件的俯視圖。

圖2A至圖2F圖示了分別沿著圖1的線A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’和F-F’截取的截面圖。

圖3、圖5、圖7、圖9和圖11圖示了示出根據示例性實施例的制造半導體器件的方法的俯視圖。

圖4A、圖6A、圖8A、圖10A和圖12A分別圖示了沿圖3、圖5、圖7、圖9和圖11的線A-A’截取的截面圖。

圖4B、圖6B、圖8B、圖10B和圖12B分別圖示了沿圖3、圖5、圖7、圖9和圖11的線B-B’截取的截面圖。