[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201811311113.8
• 申請日: 2018-11-06
• 公開（公告）號: CN109904161A
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發明（設計）人: 李峭蒑;金錫勛;梁裕信;李承勛;崔珉姬
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜

1.一種半導體器件，包括：

襯底，所述襯底包括從所述襯底的頂表面豎直地突出的第一有源圖案；以及

第一源極/漏極圖案，所述第一源極/漏極圖案填充形成在所述第一有源圖案的上部上的第一凹部，

其中，所述第一源極/漏極圖案包括：

第一半導體圖案；以及

位于所述第一半導體圖案上的第二半導體圖案，

其中，所述第一半導體圖案具有第一面、第二面和在所述第一面和所述第二面彼此會合處限定的第一角邊緣，并且

其中，所述第二半導體圖案覆蓋所述第一半導體圖案的所述第一面和所述第二面并暴露所述第一角邊緣。

2.根據權利要求1所述的器件，其中，所述第一角邊緣沿遠離所述第一源極/漏極圖案的中心的方向水平地突出。

3.根據權利要求1所述的器件，其中，所述第一角邊緣沿遠離所述第一源極/漏極圖案的中心的方向豎直地突出。

4.根據權利要求1所述的器件，其中

所述襯底包含第一半導體元素，

所述第一源極/漏極圖案包含與所述第一半導體元素不同的第二半導體元素，并且

所述第二半導體元素被包括在所述第一源極/漏極圖案的所述第一半導體圖案和所述第二半導體圖案中，并且在所述第一半導體圖案中的含量大于在所述第二半導體圖案中的含量。

5.根據權利要求4所述的器件，其中，所述第一源極/漏極圖案還包括位于所述第一半導體圖案與所述第一凹部之間的第三半導體圖案，

其中，所述第三半導體圖案包括所述第二半導體元素，并且所述第一半導體圖案中所包括的所述第二半導體元素的含量大于所述第三半導體圖案中所包括的所述第二半導體元素的含量。

6.根據權利要求1所述的器件，其中，所述第一半導體圖案的所述第一面和所述第二面都是(111)面。

7.根據權利要求1所述的器件，其中，所述第一源極/漏極圖案具有第一面、第二面和第三面，

其中，所述第一源極/漏極圖案的所述第三面將所述第一源極/漏極圖案的所述第一面和所述第二面相互地連接，并且

其中，所述第一源極/漏極圖案的所述第一面至第三面是彼此不同的晶面。

8.根據權利要求7所述的器件，其中

所述第一源極/漏極圖案的所述第一面是(110)面，

所述第一源極/漏極圖案的所述第二面是(100)面，并且

所述第一源極/漏極圖案的所述第三面是(111)面。

9.根據權利要求1所述的器件，還包括：

第二有源圖案，所述第二有源圖案從所述襯底的頂表面垂直地突出；以及

第二源極/漏極圖案，所述第二源極/漏極圖案填充形成在所述第二有源圖案的上部上的第二凹部，

其中，所述第二源極/漏極圖案具有第一面、第二面和第三面，

其中，所述第二源極/漏極圖案的所述第三面將所述第二源極/漏極圖案的所述第一面和所述第二面相互地連接，

其中，所述第二源極/漏極圖案的所述第一面至所述第三面是彼此不同的晶面，并且

其中，所述第一源極/漏極圖案和第二源極/漏極圖案具有彼此不同的導電類型。

10.根據權利要求9所述的器件，其中，所述第二源極/漏極圖案由單個半導體層組成。