[發明專利]一種晶片位置校準方法及裝置在審
| 申請號: | 201811309625.0 | 申請日: | 2018-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN111128821A | 公開(公告)日: | 2020-05-08 |
| 發明(設計)人: | 武文杰 | 申請(專利權)人: | 北京中科信電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/68 |
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| 地址: | 101111 北京市通*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶片 位置 校準 方法 裝置 | ||
本發明公開了一種晶片位置校準方法及裝置,包括:Finger(1)、Wafer導向板(2)、Wafer(3)和Casset托盤(4)。本發明主要介紹了Wafer位置校準的方法及裝置,本方法及裝置提高了Wafer位置的準確性,提高了Wafer校準的效率。
技術領域
本發明涉及一種半導體晶片傳送系統,尤其涉及一種晶片傳送位置校準方法及裝置,該方法及裝置是離子注入機實現晶片精準傳送不可缺少的方法及裝置,該方法及裝置大大提高了Wafer傳送位置的準確性及Wafer位置校準效率。
背景技術
隨著半導體工藝的發展,晶片位置校準方法及裝置大大提高了Wafer傳送位置的準確性及Wafer位置校準效率。晶片位置校準方法及裝置在晶片傳輸起到至關重要的作用,晶片傳輸系統的穩定及準確性直接關系到晶片放置靶臺的位置,從而關系到注入工藝的穩定程度,同時晶片傳輸的工作效率及位置校準的效率直接關系到整個注入工藝的效率,晶片位置校準方法及裝置在離子注入機中的重要性顯而易見。
發明內容
本發明通過以下技術方案實現:
一種晶片位置校準方法及裝置,包括:Finger(1)、Wafer導向板(2)、Wafer (3)和Casset托盤(4)。主要介紹了Wafer位置校準的方法及校準裝置,提高了Wafer位置的準確性,提高了Wafer校準的效率。其主要特征在于通過Finger (1)、Wafer導向板(2)將Wafer(3)快速并準確傳送到Casset托盤(4)。
附圖說明
圖1 Wafer定位Top View
圖2 Wafer定位Side View
圖3 Wafer與Finger的相對位置關系
圖4 Wafer與Casset托盤相對位置關系
具體實施方式
1、一種晶片位置校準方法及裝置,包括:Finger(1)、Wafer導向板(2)、 Wafer(3)和Casset托盤(4)。
2、Wafer(3)位置校準過程:通過Finger(1)進行Wafer(3)的傳送,通過Wafer導向板(2)確定Wafer(3)與Finger(1)的相對位置關系,通過 Casset托盤(4)最終實現Wafer(3)的校準位置。
3、Wafer(3)傳送過程中,需要保證Wafer(3)與Finger(1)前端同心。
4、通過Wafer導向板(2)端部與Finger(1)端部重合,同時Wafer(3) 邊緣與Wafer導向板(2)凹槽相切,保證Wafer(3)與Finger(1)的相對位置關系。
5、通過Finger(1)及Wafer導向板(2)將Wafer(3)傳送到Casset托盤,通過Casset托盤(4)精確定位Wafer(3)的位置。Wafer(3)為12英寸Wafer,其尺寸大小為300mm,為精確定位Wafer(3)的位置及操作方便,Casset托盤 (4)托盤尺寸設計為300.1mm。從而準確定位Wafer(3)前后左右位置。
6、Finger(1)在傳送過程中需要保證上端面與Wafer(3)下端面存在3mm 的距離,保證Finger(1)傳送過程的穩定及準確性,從而實現Wafer(3)在垂直方向的校準。Casset托盤(4)上端而為第一片Wafer(3)垂直方向的位置,上面還有24片Wafer(3),其間距等距,均為10mm。
本發明專利的特定實施例已對本發明專利的內容做了詳盡說明。對本領域一般技術人員而言,在不背離本發明專利精神的前提下對它所做的任何顯而易見的改動,都構成對本發明專利的侵犯,將承擔相應的法律責任。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





